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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	相变化记忆体	发明专利	CN201810339585.8	CN108550696B	2022-02-25
2	相变化记忆体及其制造方法	发明专利	CN201810068238.6	CN108110139B	2021-11-19
3	混合型存储器单元	发明专利	CN202010139681.5	CN113360076A	2021-09-07
4	混合型存储器	发明专利	CN202010139335.7	CN113342253A	2021-09-03
5	相变化存储器及其制造方法	发明专利	CN202010093033.0	CN113270545A	2021-08-17
6	测试结构及其测试方法	发明专利	CN202010088655.4	CN113257788A	2021-08-13
7	记忆体元件阵列	发明专利	PCT/CN2019/113228	WO2021077389A1	2021-04-29
8	记忆体测试阵列	发明专利	PCT/CN2019/113227	WO2021077388A1	2021-04-29
9	记忆体驱动装置	发明专利	CN201880083358.1	CN112703557A	2021-04-23
10	相变化记忆体	发明专利	CN201711403141.8	CN108123035B	2021-04-06

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1	-	www.jsamsc.com	苏ICP备16064108号	企业	2021-11-16
2	江苏时代芯存半导体有限公司	www.jsamsc.com	苏ICP备16064108号	企业	2020-09-01

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