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  • 意发功率

    张家港意发功率半导体有限公司

    存续
    • 地址:张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)
    • 简介:-
    • 商标信息 3
    • 专利信息 61
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 1

    商标信息3

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 EVER POWER SEMICONDUCTOR 42类-网站服务 10469268 商标已注册 2012-02-08 查看
    2 EVER POWER SEMICONDUCTOR 35类-广告销售 10469231 商标已注册 2012-02-08 查看
    3 EVER POWER SEMICONDUCTOR 09类-科学仪器 10469184 商标已注册 2012-02-08 查看

    专利信息61

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种具有凹槽栅的增强型氮化镓异质结HEMT的刻蚀方法 发明专利 CN201811230221.2 CN109390234B 2022-03-22
    2 一种FRD芯片 实用新型 CN202022964312.8 CN213988893U 2021-08-17
    3 一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构 实用新型 CN202022977172.8 CN213988866U 2021-08-17
    4 一种三维沟槽型高压SOI-LIGBT结构 实用新型 CN202022964317.0 CN213988865U 2021-08-17
    5 一种横向绝缘栅双极晶体管 实用新型 CN202022964315.1 CN213988864U 2021-08-17
    6 一种混合PIN/肖特基快恢复二极管的制备方法 发明专利 CN201810767803.8 CN109103094B 2021-07-16
    7 一种混合PIN/肖特基快恢复二极管的制备方法 发明专利 CN201810767803.8 CN109103094A 2021-07-16
    8 一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法 发明专利 CN201810767802.3 CN109065637B 2021-07-16
    9 一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法 发明专利 CN201810767802.3 CN109065637A 2021-07-16
    10 一种IGBT半导体器件的制作方法及IGBT半导体器件 发明专利 CN202011524233.3 CN112531021A 2021-03-19

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案1

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 张家港意发功率半导体有限公司 www.ever-power.cn 苏ICP备20033794号 企业 2020-06-22
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