商标信息3
专利信息61
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种具有凹槽栅的增强型氮化镓异质结HEMT的刻蚀方法 | 发明专利 | CN201811230221.2 | CN109390234B | 2022-03-22 |
2 | 一种FRD芯片 | 实用新型 | CN202022964312.8 | CN213988893U | 2021-08-17 |
3 | 一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构 | 实用新型 | CN202022977172.8 | CN213988866U | 2021-08-17 |
4 | 一种三维沟槽型高压SOI-LIGBT结构 | 实用新型 | CN202022964317.0 | CN213988865U | 2021-08-17 |
5 | 一种横向绝缘栅双极晶体管 | 实用新型 | CN202022964315.1 | CN213988864U | 2021-08-17 |
6 | 一种混合PIN/肖特基快恢复二极管的制备方法 | 发明专利 | CN201810767803.8 | CN109103094B | 2021-07-16 |
7 | 一种混合PIN/肖特基快恢复二极管的制备方法 | 发明专利 | CN201810767803.8 | CN109103094A | 2021-07-16 |
8 | 一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法 | 发明专利 | CN201810767802.3 | CN109065637B | 2021-07-16 |
9 | 一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法 | 发明专利 | CN201810767802.3 | CN109065637A | 2021-07-16 |
10 | 一种IGBT半导体器件的制作方法及IGBT半导体器件 | 发明专利 | CN202011524233.3 | CN112531021A | 2021-03-19 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 张家港意发功率半导体有限公司 | www.ever-power.cn | 苏ICP备20033794号 | 企业 | 2020-06-22 |
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