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    广东省广新离子束科技有限公司

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    • 地址:广州市黄埔区光谱东路179号百事高智慧园C栋101
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    专利信息14

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种多元合金膜层的沉积装置及运用该装置的沉积工艺 发明专利 CN202110435418.5 CN113186500A 2021-07-30
    2 一种5G用聚合物的表面处理方法 发明专利 CN202010350044.2 CN111662467B 2021-06-29
    3 一种5G用聚合物的表面处理方法 发明专利 CN202010350044.2 CN111662467A 2021-06-29
    4 一种金属离子源发射装置 发明专利 CN202010363614.1 CN111668080B 2021-06-08
    5 一种金属离子源发射装置 发明专利 CN202010363614.1 CN111668080A 2021-06-08
    6 一种超薄聚合物的表面处理方法 发明专利 CN202011090039.9 CN112210760B 2021-05-07
    7 一种具有双层屏蔽罩的阴极弧头 发明专利 CN202011363720.6 CN112501572A 2021-03-16
    8 一种离子源阴极结构及运用该阴极结构的离子束产生方法 发明专利 CN202011358109.4 CN112490099A 2021-03-12
    9 一种离子束沉积设备的冷却辊 发明专利 CN202011358107.5 CN112481583A 2021-03-12
    10 一种LCP基材的离子束金属化方法及其制品 发明专利 2020111030133 CN112281118A 2021-01-29

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