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商标信息16

序号	商标	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	通	通美晶体	01类-化学原料	55726043	等待实质审查	2021-04-29	查看
2	通	通美晶体	01类-化学原料	55723399	等待实质审查	2021-04-29	查看
3	通	通美	01类-化学原料	55721305	等待实质审查	2021-04-29	查看
4	T	TMJT	01类-化学原料	55721295	等待实质审查	2021-04-29	查看
5	T	TONGMEI	09类-科学仪器	55718846	等待实质审查	2021-04-29	查看
6	T	TONGMEIJINGTI	09类-科学仪器	55716321	等待实质审查	2021-04-29	查看
7	通	通美晶体	09类-科学仪器	55716308	等待实质审查	2021-04-29	查看
8	T	TONGMEIJINGTI	01类-化学原料	55714231	等待实质审查	2021-04-29	查看
9	通	通美晶体	09类-科学仪器	55711221	等待实质审查	2021-04-29	查看
10	通	通美半导体	01类-化学原料	55710866	等待实质审查	2021-04-29	查看

专利信息85

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	用于半导体晶棒腐蚀的篮具	实用新型	CN202120098954.6	CN214422783U	2021-10-19
2	锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途	发明专利	CN201910483748.4	CN110202419B	2021-10-19
3	材料表面雾的检测方法和装置	发明专利	CN202110706036.1	CN113503840A	2021-10-15
4	背面有凹坑的磷化铟晶片、制法和制备其的腐蚀液	发明专利	CN201710612344.1	CN109290875B	2021-06-22
5	背面有凹坑的磷化铟晶片、制法和制备其的腐蚀液	发明专利	CN201710612344.1	CN109290875A	2021-06-22
6	一种砷化镓晶片及其制备方法	发明专利	CN201811619886.2	CN111379027B	2021-03-16
7	垂直芯片表面发射激光器及其一维和二维阵列	实用新型	CN202020081085.1	CN211719953U	2020-10-20
8	半导体衬底中的可控氧浓度	发明专利	CN202010275519.6	CN111455451A	2020-07-28
9	一种砷化镓晶片及其制备方法	发明专利	CN201811619886.2	CN111379027A	2020-07-07
10	锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途	发明专利	CN201910483748.4	CN110202419A	2019-09-06

共 9 页

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网站备案4

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	通美晶体	www.axttm.com	京ICP备18047051号	企业	2018-09-10
2	通美晶体	www.axttm.com	京ICP备18047051号	企业	2018-09-10
3	通美晶体	www.axttm.com	京ICP备18047051号	企业	2018-09-10
4	通美晶体	www.axttm.com	京ICP备18047051号	企业	2018-09-10

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