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  • 第三代

    江苏第三代半导体研究院有限公司

    存续
    • 地址:苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
    • 简介:-
    • 商标信息 10
    • 专利信息 35
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 2

    商标信息10

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 ICASEMI 09类-科学仪器 56996803 等待实质审查 2021-06-17 查看
    2 ICASEMI 42类-网站服务 56969530 等待实质审查 2021-06-17 查看
    3 图形 42类-网站服务 56337033 等待实质审查 2021-05-25 查看
    4 图形 35类-广告销售 56336969 等待实质审查 2021-05-25 查看
    5 IASEMI 09类-科学仪器 46242181 商标无效 2020-05-12 查看
    6 图形 09类-科学仪器 46242170 商标已注册 2020-05-12 查看
    7 图形 42类-网站服务 46239330 商标无效 2020-05-12 查看
    8 IASEMI 35类-广告销售 46237794 商标已注册 2020-05-12 查看
    9 图形 35类-广告销售 46231596 商标无效 2020-05-12 查看
    10 IASEMI 42类-网站服务 46220759 商标无效 2020-05-12 查看

    专利信息35

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 发光二极管及其制造方法 发明专利 CN202010143181.9 CN111554782B 2021-08-17
    2 环形MOCVD反应器结构及III-V族化合物半导体材料生产系统 实用新型 CN202023045467.8 CN213925126U 2021-08-10
    3 大斜切角异质衬底-氮化镓复合结构 实用新型 CN202023214124.X CN213635904U 2021-07-06
    4 Micro-LED垂直芯片结构及光学组件 实用新型 CN202023213119.7 CN213583790U 2021-06-29
    5 Micro-LED芯片结构及Micro-LED发光组件 实用新型 CN202023213133.7 CN213519957U 2021-06-22
    6 高电子迁移率晶体管外延结构及高电子迁移率晶体管 实用新型 CN202023053468.7 CN213459745U 2021-06-15
    7 用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 实用新型 CN202023061674.2 CN213459739U 2021-06-15
    8 微型发光二极管阵列 实用新型 CN202022394012.0 CN213366616U 2021-06-04
    9 微型发光二极管阵列 实用新型 CN202022391355.1 CN213366615U 2021-06-04
    10 裸眼3D显示单元 实用新型 CN202022393294.2 CN213366598U 2021-06-04

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 江苏第三代半导体研究院官网 www.iasemi.cn 苏ICP备20021042号 企业 2020-04-22
    2 江苏第三代半导体研究院官网 www.iasemi.cn 苏ICP备20021042号 企业 2020-04-22
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