退出

  • 浏览历史
  • 清除
  • 中博芯

    北京中博芯半导体科技有限公司

    存续
    • 地址:北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
    • 简介:-
    • 商标信息 3
    • 专利信息 11
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 1

    商标信息3

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 SINOGAN 09类-科学仪器 53178614 等待实质审查 2021-01-21 查看
    2 中博芯 09类-科学仪器 53177859 等待实质审查 2021-01-21 查看
    3 图形 09类-科学仪器 53174274 初审公告 2021-01-21 查看

    专利信息11

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法 发明专利 CN201910429057.6 CN110211867A 2019-09-06
    2 一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用 发明专利 CN201910209262.1 CN110021690B 2019-07-16
    3 一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用 发明专利 CN201910209262.1 CN110021690A 2019-07-16
    4 基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法 发明专利 CN201810801132.2 CN109103070B 2018-12-28
    5 一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用 发明专利 CN201810373012.7 CN108767055B 2018-11-06
    6 一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用 发明专利 CN201810373012.7 CN108767055A 2018-11-06
    7 一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法 发明专利 CN201711400432.1 CN108172501A 2018-06-15
    8 用于检测氮化镓基异质结构中陷阱态的检测方法和结构 发明专利 CN201510921283.8 CN105466970B 2018-02-13
    9 一种硅上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法 发明专利 CN201510037027.2 CN104576714B 2017-11-07
    10 用于检测氮化镓基异质结构中陷阱态的检测方法和结构 发明专利 CN201510921283.8 CN105466970A 2016-04-06

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案1

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 北京中博芯半导体科技有限公司 www.semigan.com 京ICP备2021006150号 企业 2021-03-03
    vip

    企业联系方式

    关注公众号,免费查看企业全部联系方式

    请使用微信扫描二维码关注「满商公司网」