商标信息3
专利信息11
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法 | 发明专利 | CN201910429057.6 | CN110211867A | 2019-09-06 |
2 | 一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用 | 发明专利 | CN201910209262.1 | CN110021690B | 2019-07-16 |
3 | 一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用 | 发明专利 | CN201910209262.1 | CN110021690A | 2019-07-16 |
4 | 基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法 | 发明专利 | CN201810801132.2 | CN109103070B | 2018-12-28 |
5 | 一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用 | 发明专利 | CN201810373012.7 | CN108767055B | 2018-11-06 |
6 | 一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用 | 发明专利 | CN201810373012.7 | CN108767055A | 2018-11-06 |
7 | 一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法 | 发明专利 | CN201711400432.1 | CN108172501A | 2018-06-15 |
8 | 用于检测氮化镓基异质结构中陷阱态的检测方法和结构 | 发明专利 | CN201510921283.8 | CN105466970B | 2018-02-13 |
9 | 一种硅上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法 | 发明专利 | CN201510037027.2 | CN104576714B | 2017-11-07 |
10 | 用于检测氮化镓基异质结构中陷阱态的检测方法和结构 | 发明专利 | CN201510921283.8 | CN105466970A | 2016-04-06 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 北京中博芯半导体科技有限公司 | www.semigan.com | 京ICP备2021006150号 | 企业 | 2021-03-03 |
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