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  • 英诺赛科

    英诺赛科(苏州)半导体有限公司

    存续
    • 地址:苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
    • 简介:-
    • 商标信息 4
    • 专利信息 34
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息4

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 IM-GAN 42类-网站服务 31480283 商标已注册 2018-06-07 查看
    2 IM-GAN 09类-科学仪器 31464232 商标已注册 2018-06-07 查看
    3 IGAN 42类-网站服务 31461885 商标已注册 2018-06-07 查看
    4 IGAN 09类-科学仪器 31454868 商标已注册 2018-06-07 查看

    专利信息34

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 半导体器件及其制造方法 发明专利 CN202180000662.7 CN112840464B 2022-07-12
    2 氮化物基功率因子校正电路及其实施方法 发明专利 CN202280001236.X CN114731109A 2022-07-08
    3 用于测量氮化物基开关装置的动态导通电阻的设备和方法 发明专利 CN202280001225.1 CN114729958A 2022-07-08
    4 半导体器件结构及其制造方法 发明专利 CN202180000644.9 CN112956018B 2022-06-21
    5 半导体器件结构及其制造方法 发明专利 CN202180000644.9 CN112956018A 2022-06-21
    6 III族氮基半导体封装结构及其制造方法 发明专利 CN202180000921.6 CN113169150B 2022-06-14
    7 集成半导体器件及其制造方法 发明专利 CN202210214915.7 CN114597173A 2022-06-07
    8 氮基双向开关器件及其制造方法 发明专利 CN202180004475.6 CN114586176A 2022-06-03
    9 集成半导体器件及其制造方法 发明专利 CN202180004425.8 CN114127914A 2022-03-01
    10 半导体器件 发明专利 CN202110123134.2 CN112951909B 2022-02-15

    软件著作权0

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    作品著作权0

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    网站备案0

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