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  • 陶特容器

    浙江陶特容器科技股份有限公司

    存续
    • 地址:浙江省海宁市周王庙镇之江路30号
    • 简介:-
    • 商标信息 8
    • 专利信息 61
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 3

    商标信息8

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 DV DAUGHTER VESSEL 01类-化学原料 57640237 商标已注册 2021-07-12 查看
    2 DAUGHTER VESSEL DV 11类-灯具空调 57628845 商标已注册 2021-07-12 查看
    3 DV DAUGHTER VESSEL 07类-机械设备 57623870 商标已注册 2021-07-12 查看
    4 DAUGHTER VESSEL DV 09类-科学仪器 57614936 商标已注册 2021-07-12 查看
    5 DAUGHTER VESSEL DV 35类-广告销售 57614915 商标已注册 2021-07-12 查看
    6 DV DAUGHTER VESSEL 20类-家具 20949558 商标已注册 2016-08-11 查看
    7 DAUGHTER VESSEL 20类-家具 20949544 商标已注册 2016-08-11 查看
    8 DAUGHTER VESSEL 06类-金属材料 20949351 商标已注册 2016-08-11 查看

    专利信息61

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种化学气相沉积及退火连续制程装置、方法和应用 发明专利 CN202110783355.2 CN113564558B 2022-03-04
    2 一种高纯一氧化氮的制备方法及其在半导体制程中的应用 发明专利 CN202210005384.0 CN114014281A 2022-02-08
    3 一种固态前驱体源存储升华器 发明专利 CN202111070284.8 CN113897593A 2022-01-07
    4 一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置及方法 发明专利 CN202111069799.6 CN113529053B 2021-12-28
    5 一种化学气相沉积及退火连续制程装置、方法和应用 发明专利 CN202110783355.2 CN113564558A 2021-10-29
    6 一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置及方法 发明专利 CN202111069799.6 CN113529053A 2021-10-22
    7 一种利用高纯电子级六氟丁二烯的半导体器件蚀刻方法 发明专利 CN202110746524.5 CN113257671B 2021-10-12
    8 一种电子级溴化氢气体的制备方法及其在多晶硅栅极刻蚀中的应用 发明专利 CN202110650267.5 CN113247863B 2021-10-12
    9 一种用于制备半导体多晶硅的甲硅烷-氢气混合气的充装方法及其应用 发明专利 CN202110505719.0 CN113309975A 2021-08-27
    10 一种包装容器内壁抛光设备 发明专利 CN202110417066.0 CN113263368A 2021-08-17

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案3

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 陶特容器 www.daughter-vessel.com 浙ICP备20025579号 企业 2021-04-25
    2 陶特容器 www.daughter-vessel.com 浙ICP备20025579号 企业 2021-04-25
    3 陶特容器 www.daughter-vessel.com 浙ICP备20025579号 企业 2020-07-13
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