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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种沟槽型SiCMOSFET器件及其制备方法	发明专利	CN202110726765.3	CN113488542A	2021-10-08
2	一种IGBT沟槽栅排布结构	实用新型	CN202023214251.X	CN214012944U	2021-08-20
3	一种用于IGBT模块的焊接限位工装	实用新型	CN202022348605.3	CN213998341U	2021-08-20
4	一种用于功率模块覆铜陶瓷衬板焊接的限位工装	实用新型	CN202022365101.2	CN213998146U	2021-08-20
5	一种大功率半导体器件及其制备方法	发明专利	CN202110280013.9	CN113140617A	2021-07-20
6	一种半导体模块结构	发明专利	CN202110348467.5	CN113140524A	2021-07-20
7	一种半导体模块	发明专利	CN202110410365.1	CN113013147A	2021-06-22
8	一种多芯片并联的半桥型IGBT模块	实用新型	CN202022429352.2	CN213459734U	2021-06-15
9	一种用于高压焊接式IGBT器件内部衬板的绝缘结构	实用新型	CN202022506549.1	CN213459728U	2021-06-15
10	一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构	实用新型	CN202022409327.8	CN213459704U	2021-06-15

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