商标信息3
专利信息12
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 沟槽栅逆导型IGBT器件 | 发明专利 | CN202110720251.7 | CN113451400A | 2021-09-28 |
2 | IGBT半桥模块 | 实用新型 | CN201920161495.4 | CN209374447U | 2019-09-10 |
3 | 用于IGBT模块封装的过炉焊接夹具 | 实用新型 | CN201821916580.9 | CN209206664U | 2019-08-06 |
4 | 场终止型功率器件的制造方法 | 发明专利 | CN201810003581.2 | CN109994544A | 2019-07-09 |
5 | 用于功率器件封装的DBC基板的键合夹具 | 实用新型 | CN201821041127.8 | CN208352281U | 2019-01-08 |
6 | 用于功率器件封装的DBC基板的键合夹具 | 实用新型 | CN201820979152.4 | CN208315515U | 2019-01-01 |
7 | PIM封装器件的绝缘耐压测试夹具 | 实用新型 | CN201721831109.5 | CN207623460U | 2018-07-17 |
8 | 半导体功率器件的终端结构及其制造方法 | 发明专利 | CN201510845704.3 | CN106803515A | 2017-06-06 |
9 | MOSFET功率器件的终端结构 | 实用新型 | CN201420050226.8 | CN203707142U | 2014-07-09 |
10 | MOSFET功率器件的终端结构 | 实用新型 | CN201420066958.6 | CN203707138U | 2014-07-09 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案2
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 宁波达新半导体有限公司 | www.daxin-semi.com | 浙ICP备15004699号 | 企业 | 2019-12-03 |
2 | 宁波达新半导体有限公司 | www.daxin-semi.com | 浙ICP备15004699号 | 企业 | 2019-12-03 |
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