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  • 世纪金光

    北京世纪金光半导体有限公司

    存续
    • 地址:北京市北京经济技术开发区通惠干渠路17号院2号楼3层、4层、5层
    • 简介:-
    • 商标信息 18
    • 专利信息 141
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 2

    商标信息18

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 图形 09类-科学仪器 28730309 商标已注册 2018-01-16 查看
    2 CENGOL 09类-科学仪器 28728209 商标已注册 2018-01-16 查看
    3 世纪金光 09类-科学仪器 28717336 商标已注册 2018-01-16 查看
    4 CENGOL 42类-网站服务 20999256 商标已注册 2016-08-16 查看
    5 BEIJING CENTURY GOLD RAY SEMICONDUCTOR CO.,LTD. 42类-网站服务 20999248 商标已注册 2016-08-16 查看
    6 北京世纪金光半导体有限公司 42类-网站服务 20999218 商标已注册 2016-08-16 查看
    7 BEIJING CENTURY GOLD RAY SEMICONDUCTOR CO.,LTD. 35类-广告销售 20999090 商标已注册 2016-08-16 查看
    8 CENGOL 35类-广告销售 20999080 商标已注册 2016-08-16 查看
    9 北京世纪金光半导体有限公司 35类-广告销售 20999077 商标已注册 2016-08-16 查看
    10 BEIJING CENTURY GOLD RAY SEMICONDUCTOR CO., LTD 09类-科学仪器 20998938 商标已注册 2016-08-16 查看

    专利信息141

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法 发明专利 CN202010502357.5 CN113174631A 2021-07-27
    2 大直径高纯半绝缘碳化硅生长工艺方法 发明专利 CN202010517759.2 CN113151895A 2021-07-23
    3 基于人工智能的晶体生长分析方法及系统 发明专利 CN202010502352.2 CN113130017A 2021-07-16
    4 基于人工智能的晶片质量分析评价系统 发明专利 CN202010499126.3 CN113130016A 2021-07-16
    5 一种新型半导体单晶片位错密度检测腐蚀工装及方法 发明专利 CN202010502354.1 CN113122929A 2021-07-16
    6 一种大尺寸碳化硅晶体生长用籽晶 发明专利 CN202010517681.4 CN113122922A 2021-07-16
    7 一种生长低碳包裹物大尺寸高纯单晶的装置及方法 发明专利 CN202010502356.0 CN113122921A 2021-07-16
    8 一种维持大尺寸碳化硅晶型稳定的装置及生长方法 发明专利 CN202010517206.7 CN113122914A 2021-07-16
    9 一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法 发明专利 CN201710768045.7 CN107634104B 2021-06-11
    10 一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法 发明专利 CN201710768045.7 CN107634104A 2021-06-11

    软件著作权0

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    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 世纪金光 www.cengol.com 京ICP备2021006800号 企业 2021-03-09
    2 世纪金光 www.cengol.com 京ICP备2021006800号 企业 2021-03-09
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