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商标信息 8
专利信息 31
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作品著作权 1
网站备案 3

商标信息8

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	格瑞宝电子 GREENPOWER ELECTRONICS	09类-科学仪器	60375668	驳回复审中	2021-11-08	查看
2	GREENPOWER ELECTRONICS	09类-科学仪器	57582373	驳回复审中	2021-07-09	查看
3	格瑞宝电子	09类-科学仪器	56862323	商标已注册	2021-06-11	查看
4	图形	09类-科学仪器	56861928	商标已注册	2021-06-11	查看
5	ELECTRONICS GP	09类-科学仪器	20901515	商标无效	2016-08-08	查看
6	ELECTRONICS GP	42类-网站服务	20901514	商标无效	2016-08-08	查看
7	格瑞宝 G	09类-科学仪器	16462002	商标已注册	2015-03-10	查看
8	格瑞宝 G	42类-网站服务	16462001	商标已注册	2015-03-10	查看

专利信息31

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种新型左右结构金属-氧化物半导体场效应晶体管	实用新型	CN202121309163.X	CN215266311U	2021-12-21
2	一种SGT-MOSFET及其制造方法	发明专利	CN202110653721.2	CN113471078A	2021-10-01
3	一种MOSFET终端结构	实用新型	CN202022093479.1	CN213071150U	2021-04-27
4	一种MOSFET终端结构及其制备方法	发明专利	CN202011002666.2	CN112242446A	2021-01-19
5	一种深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管	实用新型	CN201921015706.X	CN210837711U	2020-06-23
6	一种多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构	实用新型	CN201921016229.9	CN210200737U	2020-03-27
7	深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法	发明专利	CN201910591988.6	CN110223959A	2019-09-10
8	多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法	发明专利	CN201910589417.9	CN110197791A	2019-09-03
9	一种沟槽肖特基二极管结构及其制备方法	发明专利	CN201610273653.6	CN105762200B	2019-04-09
10	一种沟槽金属－氧化物半导体	实用新型	CN201720377915.3	CN206697482U	2017-12-01

软件著作权0

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暂无软件著作权

作品著作权1

序号	作品名	作品类别	登记号	创作完成日期	首次发表日期	登记批准日期
1	"格瑞宝"LOGO	-	国作登字-2015-F-00194065	-	2014	2015

网站备案3

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	上海格瑞宝电子有限公司	www.sh-greenpower.com	沪ICP备14049886号	企业	2019-03-15
2	上海格瑞宝电子有限公司	www.sh-greenpower.com	沪ICP备14049886号	企业	2019-03-15
3	上海格瑞宝电子有限公司	www.sh-greenpower.com	沪ICP备14049886号	企业	2019-03-15

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