商标信息1
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | LONTEN | 09类-科学仪器 | 8622711 | 商标已注册 | 2010-08-30 | 查看 |
专利信息137
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 沟槽型MOSFET器件 | 发明专利 | CN202010875611.6 | CN114122130A | 2022-03-01 |
2 | 沟槽型MOSFET器件及其制备方法 | 发明专利 | CN202010875588.0 | CN114122129A | 2022-03-01 |
3 | 一种用于测试功率器件的共源电感的测试电路及测试方法 | 发明专利 | CN202111236295.9 | CN114002572A | 2022-02-01 |
4 | 高频LLC中同步整流的电流检测电路、检测方法及控制方法 | 发明专利 | CN202111094177.9 | CN113804945A | 2021-12-17 |
5 | ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法 | 发明专利 | CN202110055819.8 | CN112382572B | 2021-11-02 |
6 | 超结MOSFET结构及其制造方法 | 发明专利 | CN201811187899.7 | CN109494246B | 2021-11-02 |
7 | 一种基于临界导通模式的软开关实现及自适应控制方法 | 发明专利 | CN202010982777.8 | CN112134443B | 2021-09-07 |
8 | 基于元胞结构的沟槽型肖特基二极管器件结构及制造方法 | 发明专利 | CN202110448706.4 | CN113054039A | 2021-06-29 |
9 | 电荷平衡沟槽超势垒整流器及其制造方法 | 发明专利 | CN202011361521.1 | CN112510079A | 2021-03-16 |
10 | 改善栅极氧化层质量的屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法 | 发明专利 | CN201810062556.1 | CN108364870B | 2021-03-02 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案5
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 龙腾半导体股份有限公司 | www.lonten.cc | 陕ICP备10001744号 | 企业 | 2021-11-12 |
2 | 龙腾半导体股份有限公司 | www.lonten.cc | 陕ICP备10001744号 | 企业 | 2021-05-07 |
3 | 龙腾半导体股份有限公司 | www.lonten.cc | 陕ICP备10001744号 | 企业 | 2021-05-07 |
4 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 | www.lonten.cc | 陕ICP备10001744号 | 企业 | 2016-10-31 |
5 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 | www.lonten.cc | 陕ICP备10001744号 | 企业 | 2016-10-31 |
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