北京顿思集成电路设计有限责任公司-工商信息-满商公司网

请输入想查询的关键字

查询

退出

头部vip图标

浏览历史

清除

官网： www.dunsemi.com

地址：北京市北京经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2193号(集中办公区)

商标信息 2
专利信息 13
软件著作权 0
作品著作权 0
网站备案 1

商标信息2

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	DS	09类-科学仪器	38670678	商标已注册	2019-06-04	查看
2	DUNSEMI	09类-科学仪器	38653011	等待实质审查	2019-06-04	查看

专利信息13

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种评估射频功率LDMOS器件散热特性的方法以及系统	发明专利	CN201910019893.7	CN109917260B	2021-06-29
2	一种评估射频功率LDMOS器件散热特性的方法以及系统	发明专利	CN201910019893.7	CN109917260A	2021-06-29
3	一种LDMOS器件以及制作方法	发明专利	CN201910313332.8	CN110010473A	2019-07-12
4	LDMOS器件及其制造方法	发明专利	CN201910149287.7	CN109920737A	2019-06-21
5	半导体器件及其制造方法	发明专利	CN201811613682.8	CN109860300A	2019-06-07
6	一种LDMOS器件结构	实用新型	CN201821139718.9	CN208861995U	2019-05-14
7	一种LDMOS器件	实用新型	CN201821139050.8	CN208589450U	2019-03-08
8	半导体器件寄生电阻获取方法	发明专利	CN201810799302.8	CN109143015B	2019-01-04
9	半导体器件寄生电阻获取方法	发明专利	CN201810799302.8	CN109143015A	2019-01-04
10	一种LDMOS器件结构及其制作方法	发明专利	CN201810791054.2	CN109119472A	2019-01-01

软件著作权0

暂无信息

暂无软件著作权

作品著作权0

暂无信息

暂无作品著作权

网站备案1

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	北京顿思集成电路设计有限责任公司	www.dunsemi.com	京ICP备18048522号	企业	2018-09-18

vip

企业联系方式

关注公众号，免费查看企业全部联系方式

请使用微信扫描二维码关注「满商公司网」