商标信息3
专利信息7
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法 | 发明专利 | CN202210146662.4 | CN114525589A | 2022-05-24 |
2 | 高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 | 发明专利 | CN202111137580.5 | CN113862625A | 2021-12-31 |
3 | 溅射沉积设备及溅射沉积方法 | 发明专利 | CN202111137578.8 | CN113862624A | 2021-12-31 |
4 | 具有稳定频率功能的体声波谐振器 | 发明专利 | CN202111043759.4 | CN113746446A | 2021-12-03 |
5 | 压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 | 发明专利 | CN202111045283.8 | CN113708740A | 2021-11-26 |
6 | 通过湿化学法选择性去除Si3N4 | 发明专利 | CN202080015854.0 | CN113632199A | 2021-11-09 |
7 | 基于内嵌空腔SOI衬底的多栅MOS器件及其制备方法 | 发明专利 | CN202110749918.6 | CN113471213A | 2021-10-01 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案3
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 上海集成电路材料研究院有限公司 | www.sicm.com.cn | 沪ICP备2020029613号 | 企业 | 2020-09-24 |
2 | 上海集成电路材料研究院有限公司 | www.sicm.com.cn | 沪ICP备2020029613号 | 企业 | 2020-09-24 |
3 | - | www.sicm.com.cn | 沪ICP备2020029613号 | 企业 | 2020-09-24 |
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