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商标信息1

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	图形	09类-科学仪器	20378953	商标已注册	2016-06-21	查看

专利信息33

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件	发明专利	CN202110509714.5	CN113224149A	2021-08-06
2	具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构	发明专利	CN202110469803.1	CN113193042A	2021-07-30
3	一种提高抗短路能力的沟槽栅IGBT结构	实用新型	CN202023147748.4	CN213692061U	2021-07-13
4	一种半导体器件防潮结构	实用新型	CN202023161487.1	CN213691995U	2021-07-13
5	一种具有电流检测能力的功率MOSFET	实用新型	CN202023165105.2	CN213583805U	2021-06-29
6	大功率智能功率模块反偏试验方法	发明专利	CN202110459227.2	CN112964958A	2021-06-15
7	平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法	发明专利	CN202110137004.4	CN112802755A	2021-05-14
8	一种超低VF软快恢复二极管及其制造方法	发明专利	CN202110241329.7	CN112786708A	2021-05-11
9	一种高抗短路能力的沟槽栅IGBT	发明专利	CN202110167453.3	CN112750902A	2021-05-04
10	平面型IGBT结构	发明专利	CN202011330868.X	CN112447826A	2021-03-05

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