商标信息4
专利信息69
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | CN201910348146.8 | CN110071172B | 2022-03-18 |
2 | 倒装深紫外LED及其制备方法 | 发明专利 | CN202110841199.0 | CN113555479A | 2021-10-26 |
3 | 微流芯片及其制造方法 | 发明专利 | CN202011196145.5 | CN112295623B | 2021-10-08 |
4 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | CN202110887343.4 | CN113410285A | 2021-09-17 |
5 | 垂直腔面发射激光器的制造方法及垂直腔面发射激光器 | 发明专利 | CN202010499463.2 | CN111600200B | 2021-05-07 |
6 | 微流芯片及其制造方法 | 发明专利 | CN202011196145.5 | CN112295623A | 2021-02-02 |
7 | 垂直腔面发射激光器的制造方法及垂直腔面发射激光器 | 发明专利 | CN202010499463.2 | CN111600200A | 2020-08-28 |
8 | 集成增强型与耗尽型场效应管的结构及其制造方法 | 发明专利 | CN201811631597.4 | CN109727918B | 2020-05-19 |
9 | HEMT结构及其制造方法 | 发明专利 | CN201910603666.9 | CN110335894B | 2020-05-12 |
10 | 金刚石基氮化镓器件制造方法 | 发明专利 | CN201810667077.2 | CN108598036B | 2020-03-27 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案3
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 苏州汉骅半导体有限公司 | www.hanhuasemi.com | 苏ICP备18036867号 | 企业 | 2019-12-10 |
2 | 苏州汉骅半导体有限公司 | www.hanhuasemi.com | 苏ICP备18036867号 | 企业 | 2019-12-10 |
3 | - | www.hanhuasemi.com | 苏ICP备18036867号 | 企业 | 2019-12-10 |
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