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    西安赛富乐斯半导体科技有限公司

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    • 地址:陕西省西安市高新区上林苑一路15号4栋4102室
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    专利信息20

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 实用新型 CN201822021967.4 CN209029404U 2019-06-25
    2 半极性氮化镓半导体构件 实用新型 CN201822029597.9 CN209029403U 2019-06-25
    3 半极性氮化镓半导体构件 实用新型 CN201822027655.4 CN208970551U 2019-06-11
    4 半极性氮化镓单量子阱层发光器件 实用新型 CN201822027731.1 CN208970550U 2019-06-11
    5 半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件 实用新型 CN201822027653.5 CN208970549U 2019-06-11
    6 在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件 实用新型 CN201822021971.0 CN208970548U 2019-06-11
    7 半导体晶片 实用新型 CN201822029819.7 CN208970547U 2019-06-11
    8 半导体构件 实用新型 CN201822021968.9 CN208889687U 2019-05-21
    9 将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法 发明专利 CN201811473218.3 CN109585615B 2019-04-05
    10 将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法 发明专利 CN201811473218.3 CN109585615A 2019-04-05

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