商标信息0
专利信息20
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 | 实用新型 | CN201822021967.4 | CN209029404U | 2019-06-25 |
2 | 半极性氮化镓半导体构件 | 实用新型 | CN201822029597.9 | CN209029403U | 2019-06-25 |
3 | 半极性氮化镓半导体构件 | 实用新型 | CN201822027655.4 | CN208970551U | 2019-06-11 |
4 | 半极性氮化镓单量子阱层发光器件 | 实用新型 | CN201822027731.1 | CN208970550U | 2019-06-11 |
5 | 半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件 | 实用新型 | CN201822027653.5 | CN208970549U | 2019-06-11 |
6 | 在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件 | 实用新型 | CN201822021971.0 | CN208970548U | 2019-06-11 |
7 | 半导体晶片 | 实用新型 | CN201822029819.7 | CN208970547U | 2019-06-11 |
8 | 半导体构件 | 实用新型 | CN201822021968.9 | CN208889687U | 2019-05-21 |
9 | 将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法 | 发明专利 | CN201811473218.3 | CN109585615B | 2019-04-05 |
10 | 将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法 | 发明专利 | CN201811473218.3 | CN109585615A | 2019-04-05 |
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