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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	双闸极沟槽式绝缘闸双极性晶体管器件	发明专利	CN202011162518.7	CN114497171A	2022-05-13
2	大电流绝缘栅双极型晶体管器件	实用新型	CN202022413927.1	CN214254425U	2021-09-21
3	沟槽绝缘栅双极型晶体管	实用新型	CN202022423571.X	CN214152905U	2021-09-07
4	MOS型功率半导体器件	实用新型	CN202022570975.1	CN213988891U	2021-08-17
5	低功耗功率MOS场效应管	实用新型	CN202022570687.6	CN213988890U	2021-08-17
6	耐压功率MOSFET器件	实用新型	CN202022576884.9	CN213583803U	2021-06-29
7	高可靠性沟槽功率MOS晶体管	实用新型	CN202022576714.0	CN213583802U	2021-06-29
8	垂直功率MOS半导体器件	实用新型	CN202022576645.3	CN213583801U	2021-06-29
9	深沟槽功率MOS半导体器件	实用新型	CN202022576642.X	CN213583800U	2021-06-29
10	垂直型金氧半场效晶体管器件	实用新型	CN202022576105.5	CN213583799U	2021-06-29

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