商标信息28
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | SUPER-SI2C | - | 62125661 | 等待实质审查 | 2022-01-13 | 查看 |
2 | 超级硅 | 09类-科学仪器 | 57507576 | 等待实质审查 | 2021-07-07 | 查看 |
3 | HYBRID FET | 09类-科学仪器 | 57480526 | 商标已注册 | 2021-07-06 | 查看 |
4 | ORIENTAL SEMI | 09类-科学仪器 | 48536604 | 商标已注册 | 2020-07-30 | 查看 |
5 | 东微半导体 ORIENTAL SEMI | 09类-科学仪器 | 48519359 | 商标已注册 | 2020-07-30 | 查看 |
6 | 东微半导体 | 09类-科学仪器 | 48513937 | 商标已注册 | 2020-07-30 | 查看 |
7 | 图形 | 09类-科学仪器 | 44555830 | 等待实质审查 | 2020-03-12 | 查看 |
8 | TGBT | 09类-科学仪器 | 40105138 | 商标无效 | 2019-08-02 | 查看 |
9 | 图形 | 09类-科学仪器 | 36288047 | 商标已注册 | 2019-02-01 | 查看 |
10 | 图形 | 09类-科学仪器 | 25439279 | 商标无效 | 2017-07-20 | 查看 |
专利信息154
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 半导体超结器件的制造方法 | 发明专利 | CN202010372375.6 | CN113628969B | 2022-06-24 |
2 | 半导体超结器件的制造方法 | 发明专利 | CN202010372375.6 | CN113628969A | 2022-06-24 |
3 | 半导体超结器件的制造方法 | 发明专利 | CN202010372056.5 | CN113628968B | 2022-06-24 |
4 | 半导体超结器件的制造方法 | 发明专利 | CN202010372056.5 | CN113628968A | 2022-06-24 |
5 | 半导体装置 | 发明专利 | CN202011360254.6 | CN114566477A | 2022-05-31 |
6 | IGBT器件 | 发明专利 | CN201980091300.6 | CN113748520B | 2022-05-31 |
7 | 半导体器件 | 发明专利 | CN202011281570.4 | CN114512532A | 2022-05-17 |
8 | 碳化硅器件 | 发明专利 | CN202011280134.5 | CN114512531A | 2022-05-17 |
9 | 半导体器件的制造方法 | 发明专利 | CN202011280137.9 | CN114512403A | 2022-05-17 |
10 | 一种半导体存储器 | 发明专利 | CN201811130401.3 | CN110957324B | 2022-05-17 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案3
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 苏州东微半导体股份有限公司 | www.orientalsemi.com | 苏ICP备18022065号 | 企业 | 2021-02-01 |
2 | 苏州东微半导体股份有限公司 | www.orientalsemi.com | 苏ICP备18022065号 | 企业 | 2021-02-01 |
3 | - | www.orientalsemi.com | 苏ICP备18022065号 | 企业 | 2021-02-01 |
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