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  • 东微

    苏州东微半导体股份有限公司

    存续
    • 地址:苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室
    • 简介:-
    • 商标信息 28
    • 专利信息 154
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 3

    商标信息28

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 SUPER-SI2C - 62125661 等待实质审查 2022-01-13 查看
    2 超级硅 09类-科学仪器 57507576 等待实质审查 2021-07-07 查看
    3 HYBRID FET 09类-科学仪器 57480526 商标已注册 2021-07-06 查看
    4 ORIENTAL SEMI 09类-科学仪器 48536604 商标已注册 2020-07-30 查看
    5 东微半导体 ORIENTAL SEMI 09类-科学仪器 48519359 商标已注册 2020-07-30 查看
    6 东微半导体 09类-科学仪器 48513937 商标已注册 2020-07-30 查看
    7 图形 09类-科学仪器 44555830 等待实质审查 2020-03-12 查看
    8 TGBT 09类-科学仪器 40105138 商标无效 2019-08-02 查看
    9 图形 09类-科学仪器 36288047 商标已注册 2019-02-01 查看
    10 图形 09类-科学仪器 25439279 商标无效 2017-07-20 查看

    专利信息154

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 半导体超结器件的制造方法 发明专利 CN202010372375.6 CN113628969B 2022-06-24
    2 半导体超结器件的制造方法 发明专利 CN202010372375.6 CN113628969A 2022-06-24
    3 半导体超结器件的制造方法 发明专利 CN202010372056.5 CN113628968B 2022-06-24
    4 半导体超结器件的制造方法 发明专利 CN202010372056.5 CN113628968A 2022-06-24
    5 半导体装置 发明专利 CN202011360254.6 CN114566477A 2022-05-31
    6 IGBT器件 发明专利 CN201980091300.6 CN113748520B 2022-05-31
    7 半导体器件 发明专利 CN202011281570.4 CN114512532A 2022-05-17
    8 碳化硅器件 发明专利 CN202011280134.5 CN114512531A 2022-05-17
    9 半导体器件的制造方法 发明专利 CN202011280137.9 CN114512403A 2022-05-17
    10 一种半导体存储器 发明专利 CN201811130401.3 CN110957324B 2022-05-17

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案3

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 苏州东微半导体股份有限公司 www.orientalsemi.com 苏ICP备18022065号 企业 2021-02-01
    2 苏州东微半导体股份有限公司 www.orientalsemi.com 苏ICP备18022065号 企业 2021-02-01
    3 - www.orientalsemi.com 苏ICP备18022065号 企业 2021-02-01
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