商标信息59
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | N TRENCH | 09类-科学仪器 | 58347591 | 商标申请中 | 2021-08-10 | 查看 |
2 | N IPM | 09类-科学仪器 | 57953856 | 商标申请中 | 2021-07-23 | 查看 |
3 | DRIVER CEPOWER | 09类-科学仪器 | 57381548 | 等待实质审查 | 2021-07-01 | 查看 |
4 | NCEP IGBT | 09类-科学仪器 | 57380831 | 等待实质审查 | 2021-07-01 | 查看 |
5 | SIC NCEPOWER | 09类-科学仪器 | 57379139 | 等待实质审查 | 2021-07-01 | 查看 |
6 | - | 09类-科学仪器 | 57377736 | 等待实质审查 | 2021-07-01 | 查看 |
7 | SGT CEPOWER | 09类-科学仪器 | 57376524 | 等待实质审查 | 2021-07-01 | 查看 |
8 | N GAN | 09类-科学仪器 | 57376269 | 等待实质审查 | 2021-07-01 | 查看 |
9 | - | 09类-科学仪器 | 57375675 | 等待实质审查 | 2021-07-01 | 查看 |
10 | XJN PMIC | 09类-科学仪器 | 57375143 | 等待实质审查 | 2021-07-01 | 查看 |
专利信息259
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 降低导通电阻的功率晶体管结构及制造方法 | 发明专利 | CN202110727519.X | CN113471279A | 2021-10-01 |
2 | 屏蔽栅沟槽型半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | CN202110702123.X | CN113471278A | 2021-10-01 |
3 | 快恢复功率MOSFET及其制造方法 | 发明专利 | CN202110908107.6 | CN113437137A | 2021-09-24 |
4 | 沟槽型功率半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | CN202110534213.2 | CN113314589A | 2021-08-27 |
5 | 沟槽功率半导体器件 | 实用新型 | CN202022828844.9 | CN213905364U | 2021-08-06 |
6 | 高可靠的碳化硅MOSFET器件及其工艺方法 | 发明专利 | CN202110274452.9 | CN113066867A | 2021-07-02 |
7 | 碳化硅MOSFET器件及其工艺方法 | 发明专利 | CN202110274425.1 | CN113066866A | 2021-07-02 |
8 | 降低开关损耗的半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | CN202110274169.6 | CN113066865A | 2021-07-02 |
9 | 半导体器件及制作方法 | 发明专利 | CN202110274455.2 | CN113066853A | 2021-07-02 |
10 | 感测功率半导体器件 | 发明专利 | CN202110274144.6 | CN113066852A | 2021-07-02 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 无锡新洁能股份有限公司 | www.ncepower.com | 苏ICP备10092938号 | 企业 | 2019-05-09 |
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