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  • 新洁能

    无锡新洁能股份有限公司

    存续
    • 地址:无锡市新吴区电腾路6号
    • 简介:-
    • 商标信息 59
    • 专利信息 259
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 1

    商标信息59

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 N TRENCH 09类-科学仪器 58347591 商标申请中 2021-08-10 查看
    2 N IPM 09类-科学仪器 57953856 商标申请中 2021-07-23 查看
    3 DRIVER CEPOWER 09类-科学仪器 57381548 等待实质审查 2021-07-01 查看
    4 NCEP IGBT 09类-科学仪器 57380831 等待实质审查 2021-07-01 查看
    5 SIC NCEPOWER 09类-科学仪器 57379139 等待实质审查 2021-07-01 查看
    6 - 09类-科学仪器 57377736 等待实质审查 2021-07-01 查看
    7 SGT CEPOWER 09类-科学仪器 57376524 等待实质审查 2021-07-01 查看
    8 N GAN 09类-科学仪器 57376269 等待实质审查 2021-07-01 查看
    9 - 09类-科学仪器 57375675 等待实质审查 2021-07-01 查看
    10 XJN PMIC 09类-科学仪器 57375143 等待实质审查 2021-07-01 查看

    专利信息259

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 降低导通电阻的功率晶体管结构及制造方法 发明专利 CN202110727519.X CN113471279A 2021-10-01
    2 屏蔽栅沟槽型半导体器件及其制造方法 发明专利 CN202110702123.X CN113471278A 2021-10-01
    3 快恢复功率MOSFET及其制造方法 发明专利 CN202110908107.6 CN113437137A 2021-09-24
    4 沟槽型功率半导体器件及其制造方法 发明专利 CN202110534213.2 CN113314589A 2021-08-27
    5 沟槽功率半导体器件 实用新型 CN202022828844.9 CN213905364U 2021-08-06
    6 高可靠的碳化硅MOSFET器件及其工艺方法 发明专利 CN202110274452.9 CN113066867A 2021-07-02
    7 碳化硅MOSFET器件及其工艺方法 发明专利 CN202110274425.1 CN113066866A 2021-07-02
    8 降低开关损耗的半导体器件及其制作方法 发明专利 CN202110274169.6 CN113066865A 2021-07-02
    9 半导体器件及制作方法 发明专利 CN202110274455.2 CN113066853A 2021-07-02
    10 感测功率半导体器件 发明专利 CN202110274144.6 CN113066852A 2021-07-02

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案1

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 无锡新洁能股份有限公司 www.ncepower.com 苏ICP备10092938号 企业 2019-05-09
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