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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种具有半封闭原胞的绝缘栅双极型晶体管器件结构	发明专利	CN201610840694.9	CN107863383B	2021-05-07
2	具有不连续P型基区嵌入原胞结构的半导体器件	发明专利	CN201610011238.3	CN107068742B	2020-04-21
3	一种绝缘栅双极型晶体管器件	发明专利	CN201610010199.5	CN106960867B	2020-04-21
4	一种绝缘栅双极型晶体管器件结构	发明专利	CN201510477924.5	CN106449741B	2019-04-05
5	一种具有半封闭原胞的绝缘栅双极型晶体管器件结构	发明专利	CN201610840694.9	CN107863383A	2018-03-30
6	一种绝缘栅双极型晶体管器件	发明专利	CN201610346850.6	CN107425056A	2017-12-01
7	具有不连续P型基区嵌入原胞结构的半导体器件	发明专利	CN201610011238.3	CN107068742A	2017-08-18
8	一种绝缘栅双极型晶体管器件	发明专利	CN201610010199.5	CN106960867A	2017-07-18
9	一种增大沟槽的底部和顶部曲率半径的工艺	发明专利	CN201610010198.0	CN106960786A	2017-07-18
10	一种绝缘栅双极型晶体管器件结构	发明专利	CN201510477924.5	CN106449741A	2017-02-22

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