商标信息0
专利信息46
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 高压倒装发光二极管芯片 | 实用新型 | CN202023297763.7 | CN214411235U | 2021-10-15 |
2 | 高压倒装发光二极管芯片 | 实用新型 | CN202023297698.8 | CN214411201U | 2021-10-15 |
3 | LED外延结构以及LED芯片 | 发明专利 | CN202110736652.1 | CN113471342A | 2021-10-01 |
4 | 深紫外发光元件及其制备方法 | 发明专利 | CN202110662666.3 | CN113410350A | 2021-09-17 |
5 | 深紫外发光元件及其制备方法 | 发明专利 | CN202110661377.1 | CN113410348A | 2021-09-17 |
6 | 紫外半导体发光元件 | 发明专利 | CN202110661380.3 | CN113410345A | 2021-09-17 |
7 | 深紫外发光元件及其制备方法 | 发明专利 | CN202110662673.3 | CN113394319A | 2021-09-14 |
8 | 深紫外发光元件及其制备方法 | 发明专利 | CN202110661376.7 | CN113394316A | 2021-09-14 |
9 | 深紫外发光元件及其制备方法 | 发明专利 | CN202110662668.2 | CN113394315A | 2021-09-14 |
10 | 半导体发光元件 | 发明专利 | CN202110662667.8 | CN113394314A | 2021-09-14 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | www.218.107.194.130 | 闽ICP备20015990号 | 企业 | 2020-08-10 |
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