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  • 皮兆永存

    成都皮兆永存科技有限公司

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    • 地址:四川省中国(四川)自由贸易试验区成都高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号
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    • 作品著作权 0
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    专利信息14

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 高密度三维可编程存储器的制备方法 发明专利 CN202110233574.3 CN113035874A 2021-06-25
    2 全自对准高密度3D多层存储器的制备方法 发明专利 CN202110189418.1 CN112992906A 2021-06-18
    3 三维可编程存储器的制备方法 发明专利 CN201811117240.4 CN109545787B 2021-04-09
    4 高密度三维结构半导体存储器及制备方法 发明专利 CN201910726539.8 CN110610943A 2019-12-24
    5 多层一次性可编程永久存储器单元及其制备方法 发明专利 CN201780089270.6 CN110520977A 2019-11-29
    6 数据存储装置 发明专利 CN201910628549.8 CN110503988A 2019-11-26
    7 半导体存储器制备方法及半导体存储器 发明专利 CN201910592710.0 CN110491785A 2019-11-22
    8 复合存储器 发明专利 CN201910109131.6 CN109902035A 2019-06-18
    9 三维可编程存储器制备方法 发明专利 CN201910109123.1 CN109887923A 2019-06-14
    10 多层纵向OTP存储器 发明专利 CN201711115765.X CN109817622A 2019-05-28

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