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  • 立昂东芯

    杭州立昂东芯微电子有限公司

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    • 地址:浙江省杭州经济技术开发区20号大街199号1-5幢
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    • 作品著作权 0
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    专利信息21

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种晶圆解键合辅助载盘、解键合机及解键合方法 发明专利 CN202010066736.4 CN111244015A 2020-06-05
    2 一种砷化镓器件金属保护环 发明专利 CN202010110737.4 CN111162058A 2020-05-15
    3 一种适用于低导热导电材料基板的器件制成方法 发明专利 CN201811592435.4 CN109782383B 2019-05-21
    4 一种适用于低导热导电材料基板的器件制成方法 发明专利 CN201811592435.4 CN109782383A 2019-05-21
    5 一种基于PHEMT工艺的MMIC等效管芯模型 发明专利 CN201610135225.7 CN105740580B 2019-02-22
    6 一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法 发明专利 CN201610253781.4 CN105870166B 2019-02-12
    7 一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺 发明专利 CN201610174316.1 CN105762062B 2018-09-28
    8 小能带隙III-V族MOSFET器件的非对称型源漏极结构 发明专利 CN201610337865.6 CN105826392B 2018-08-31
    9 一种基于砷化镓器件的MIM电容器及其制造工艺 发明专利 CN201610174315.7 CN105845669B 2018-06-12
    10 一种化合物半导体层间介电导线及其制备方法 发明专利 CN201710345312.X CN107424978A 2017-12-01

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