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  • 南大光电

    南大光电半导体材料有限公司

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    • 地址:安徽省滁州市全椒县十字镇十谭产业园新城大道117号
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    专利信息13

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 制备有机氨基硅烷的方法;由有机氨基硅烷制备甲硅烷基胺的方法 发明专利 CN201680080575.6 CN108602839B 2021-06-29
    2 高纯度三甲硅烷基胺、制备方法和用途 发明专利 CN201680080583.0 CN108602840B 2021-05-28
    3 二硅烷基胺和聚硅烷基胺的合成 发明专利 CN201680072355.9 CN108431013B 2021-03-16
    4 三(乙硅烷基)胺 发明专利 CN201680070868.6 CN108431012B 2021-01-26
    5 1,1,1-三(有机氨基)二硅烷化合物及其制备方法 发明专利 CN201880059969.2 CN111094181A 2020-05-01
    6 制备五氯二硅烷的方法和包含其的纯化反应产物 发明专利 CN201880058352.9 CN111065602A 2020-04-24
    7 胺与硅烷之间的脱氢偶联反应的催化 发明专利 CN201780079489.8 CN110099911A 2019-08-06
    8 二硅烷基胺和聚硅烷基胺的合成 发明专利 CN201680072355.9 CN108431013A 2018-08-21
    9 三(乙硅烷基)胺 发明专利 CN201680070868.6 CN108431012A 2018-08-21
    10 2,2,4,4-四甲硅烷基五硅烷及其组合物、方法和用途 发明专利 CN201480054107.2 CN105593233B 2018-04-27

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