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  • 晶正电子

    济南晶正电子科技有限公司

    在业
    • 地址:山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台区1号楼B座1806室
    • 简介:-
    • 商标信息 12
    • 专利信息 113
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 2

    商标信息12

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 NANOLN 42类-网站服务 12657925 商标已注册 2013-05-27 查看
    2 晶正 42类-网站服务 12657783 商标已注册 2013-05-27 查看
    3 NANO'LN 09类-科学仪器 12650370 商标已注册 2013-05-27 查看
    4 NANO'LN 01类-化学原料 12650369 商标已注册 2013-05-27 查看
    5 晶正 09类-科学仪器 12650368 商标已注册 2013-05-27 查看
    6 晶正 01类-化学原料 12650367 商标已注册 2013-05-27 查看
    7 NANOLN 01类-化学原料 11116398 商标已注册 2012-06-25 查看
    8 NANOLN 09类-科学仪器 11116397 商标已注册 2012-06-25 查看
    9 LINBOTEC 01类-化学原料 11116396 商标已注册 2012-06-25 查看
    10 LINBOTEC 09类-科学仪器 11116395 商标已注册 2012-06-25 查看

    专利信息113

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法 发明专利 CN201910891629.2 CN110581212B 2021-09-24
    2 一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法 发明专利 CN201910891629.2 CN110581212A 2021-09-24
    3 一种薄膜体声波器件及其制备方法 发明专利 CN202010188672.5 CN113411064A 2021-09-17
    4 超薄超平晶片和制备该超薄超平晶片的方法 发明专利 CN201711458484.4 CN109972204B 2021-09-17
    5 一种集成光学复合基板 发明专利 CN202010158416.1 CN113381297A 2021-09-10
    6 一种薄膜机械分离装置 发明专利 CN202010108081.2 CN113299576A 2021-08-24
    7 复合薄膜及其制造方法 发明专利 CN202010071732.5 CN113224187A 2021-08-06
    8 压电薄膜复合基板及其制备方法 发明专利 CN202010071169.1 CN113223943A 2021-08-06
    9 光波导集成器件 发明专利 CN202010071916.1 CN113219681A 2021-08-06
    10 一种复合薄膜的制备方法及复合薄膜 发明专利 CN202110479316.3 CN113193109A 2021-07-30

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 济南晶正电子科技有限公司官网 www.nanoln.com 鲁ICP备19017805号 企业 2019-04-18
    2 济南晶正电子科技有限公司官网 www.nanoln.com 鲁ICP备19017805号 企业 2019-04-18
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