商标信息8
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | 中航微 | 09类-科学仪器 | 11035656 | 商标无效 | 2012-06-07 | 查看 |
2 | SKYSILICON | 09类-科学仪器 | 10801395 | 商标已注册 | 2012-04-20 | 查看 |
3 | 渝德科技;重庆有限公司 | 09类-科学仪器 | 6939014 | 商标无效 | 2008-09-05 | 查看 |
4 | 渝德科技;重庆有限公司 | 40类-材料加工 | 6939013 | 商标无效 | 2008-09-05 | 查看 |
5 | PROQ;TECHNOLOGIES | 09类-科学仪器 | 6939012 | 商标无效 | 2008-09-05 | 查看 |
6 | PROQ;TECHNOLOGIES | 40类-材料加工 | 6939011 | 商标无效 | 2008-09-05 | 查看 |
7 | 渝德科技;PROQ;TECHNOLOGIES | 09类-科学仪器 | 6939010 | 商标无效 | 2008-09-05 | 查看 |
8 | 渝德科技;PROQ;TECHNOLOGIES | 40类-材料加工 | 6939009 | 商标无效 | 2008-09-05 | 查看 |
专利信息366
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 电池充电控制电路及电池保护系统 | 发明专利 | CN202010064923.9 | CN113141034A | 2021-07-20 |
2 | 沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法 | 发明专利 | CN201911400665.0 | CN113130633A | 2021-07-16 |
3 | MES生产系统的控制方法与设备 | 发明专利 | CN201911407174.9 | CN113126573A | 2021-07-16 |
4 | 一种功率器件及其制作方法 | 发明专利 | CN201911338281.0 | CN113097300A | 2021-07-09 |
5 | 一种分裂栅型沟槽MOS器件及其制备方法 | 发明专利 | CN201911378546.X | CN113053738A | 2021-06-29 |
6 | 具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 | 发明专利 | CN201911359911.2 | CN113035943A | 2021-06-25 |
7 | 屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制备方法 | 发明专利 | CN201911359896.1 | CN113035715A | 2021-06-25 |
8 | 一种沟槽型功率器件及其制作方法 | 发明专利 | CN201911357317.X | CN113035714A | 2021-06-25 |
9 | 一种半导体结构及其制作方法 | 发明专利 | CN201911251882.8 | CN113035688A | 2021-06-25 |
10 | 集成电路版图设计中圆弧的绘制方法、系统、存储介质及终端 | 发明专利 | CN201911357240.6 | CN113034644A | 2021-06-25 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案3
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 华润微电子(重庆)有限公司 | www.skysilicon.com | 渝ICP备12001960号 | 企业 | 2019-09-11 |
2 | 华润微电子 | www.skysilicon.com.cn | 渝ICP备12001960号 | 企业 | 2019-09-11 |
3 | 华润微电子 | www.pro-q.com.cn | 渝ICP备12001960号 | 企业 | 2019-09-11 |
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