商标信息3
专利信息226
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种超结MOS器件 | 发明专利 | CN202110428258.1 | CN113224164A | 2021-08-06 |
2 | 具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法 | 发明专利 | CN202110477496.1 | CN113224148A | 2021-08-06 |
3 | 晶圆贴膜方法及治具 | 发明专利 | CN201710630622.6 | CN109309026B | 2021-03-23 |
4 | 半导体封装结构 | 发明专利 | 2019106597659 | CN112259516A | 2021-01-22 |
5 | VDMOS晶体管及制作VDMOS晶体管的方法 | 发明专利 | CN201710646818.4 | CN109326642B | 2020-12-29 |
6 | 瞬态电压抑制二极管结构及其制作方法 | 发明专利 | CN201910491591.X | CN112054050A | 2020-12-08 |
7 | 沟槽MOSFET和沟槽MOSFET的制造方法 | 发明专利 | CN201811607412.6 | CN111384168A | 2020-07-07 |
8 | 脱模力测试装置及其测试方法 | 发明专利 | CN201811641323.3 | CN111380637A | 2020-07-07 |
9 | 结终端结构及其制备方法 | 发明专利 | CN201811557431.2 | CN111341832A | 2020-06-26 |
10 | 一种改善动态特性的超结VDMOS器件 | 发明专利 | 2020100478358 | CN111244180B | 2020-06-05 |
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