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官网： www.vgsemi.com

地址：深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301

知识产权126

商标信息 56
专利信息 66
软件著作权 1
作品著作权 0
网站备案 3

商标信息56

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	图形	-	63360415	等待实质审查	2022-03-18	查看
2	VGSEMI	-	62402492	等待实质审查	2022-01-26	查看
3	VERGIGA SEMICONDUCTOR	-	62169758	等待实质审查	2022-01-14	查看
4	威兆半导体 VERGIGA SEMICONDUCTOR	-	62169430	等待实质审查	2022-01-14	查看
5	图形	-	62167923	等待实质审查	2022-01-14	查看
6	VERGIGA	-	62165997	初审公告	2022-01-14	查看
7	VERGIGA	-	62159188	等待实质审查	2022-01-14	查看
8	VERGIGA SEMICONDUCTOR	-	62156250	等待实质审查	2022-01-14	查看
9	VERGIGA	-	62152994	初审公告	2022-01-14	查看
10	威兆半导体 VERGIGA SEMICONDUCTOR	-	62152965	等待实质审查	2022-01-14	查看

共 6 页

专利信息66

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种IGBT器件及其制造方法	发明专利	CN202210327695.9	CN114420561B	2022-07-15
2	槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备	发明专利	CN202110581224.6	CN113327984B	2022-07-12
3	一种双沟道MOSFET器件及其制造方法	发明专利	CN202210631851.0	CN114709258A	2022-07-05
4	一种半导体器件、终端结构及其制造方法	发明专利	CN202210227409.1	CN114335154B	2022-07-01
5	一种带温度采样功能的屏蔽栅器件	发明专利	CN202210403811.0	CN114496995B	2022-06-17
6	一种改善短路特性的碳化硅MOS器件	发明专利	CN202210502977.8	CN114613849A	2022-06-10
7	一种超结MOSFET器件的仿真方法及仿真模型结构	发明专利	CN202210485117.8	CN114580332A	2022-06-03
8	一种IGBT器件及其制造方法	发明专利	CN202210062869.3	CN114093934B	2022-05-20
9	一种带温度采样功能的屏蔽栅器件	发明专利	CN202210403811.0	CN114496995A	2022-05-13
10	一种IGBT器件及其制造方法	发明专利	CN202210327695.9	CN114420561A	2022-04-29

共 7 页

软件著作权1

序号	软件名称	软件简称	版本号	登记号	分类号	首次发表日期	登记批准日期
1	威兆半导体器件选型系统	-	V1.0	2019SR1336946	-	2019-09-20	2019-12-11

作品著作权0

暂无信息

暂无作品著作权

网站备案3

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	-	-	粤ICP备19063980号	企业	2022-03-31
2	威兆半导体有限公司	www.vgsemi.com	粤ICP备19063980号	企业	2020-06-19
3	-	www.vgsemi.com	粤ICP备19063980号	企业	2020-06-19

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