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知识产权108

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商标信息1

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	IGTO	09类-科学仪器	21246312	商标已注册	2016-09-08	查看

专利信息106

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	具有双屏蔽结构的SGTMOS器件	实用新型	CN202122591526.X	CN216120306U	2022-03-22
2	平面栅沟槽栅集成结构的MOSFET器件	实用新型	CN202122537515.3	CN216120305U	2022-03-22
3	平面栅沟槽栅集成结构的MOSFET器件	发明专利	CN202111226596.3	CN113823695A	2021-12-21
4	具有低导通电阻的超结MOSFET	实用新型	CN202120079075.9	CN214753770U	2021-11-16
5	一种改善反向恢复特性的多次外延超结器件制作方法	发明专利	CN201811529742.8	CN109713029B	2021-08-03
6	一种多次外延的超结器件制作方法	发明专利	CN201811529741.3	CN109686781B	2021-08-03
7	多次外延制作的超结屏蔽栅结构IGBT	实用新型	CN202023298447.1	CN213845279U	2021-07-30
8	带有屏蔽栅结构的IGBT器件	实用新型	CN202022677284.1	CN213424995U	2021-06-11
9	超结SGT MOS功率半导体器件结构	实用新型	CN202022677174.5	CN213184293U	2021-05-11
10	低导通压降的载流子存储型FS-IGBT及制作方法	发明专利	CN202110019615.9	CN112750893A	2021-05-04

共 11 页

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