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官网： www.hiwafer.com

地址：中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号

知识产权332

商标信息 7
专利信息 323
软件著作权 0
作品著作权 0
网站备案 2

商标信息7

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	图形	09类-科学仪器	32385537	商标无效	2018-07-20	查看
2	图形	09类-科学仪器	32376904	商标已注册	2018-07-20	查看
3	HIWAFER STC	09类-科学仪器	25454282	商标已注册	2017-07-21	查看
4	图形	09类-科学仪器	25445690	商标无效	2017-07-21	查看
5	AMITIC	09类-科学仪器	22487160	商标已注册	2017-01-03	查看
6	HIWAFER	09类-科学仪器	19679006	商标已注册	2016-04-19	查看
7	H	09类-科学仪器	19678842	等待实质审查	2016-04-19	查看

专利信息323

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种0.15微米T形栅的工艺制作方法	发明专利	CN201910304548.8	CN110010454B	2021-09-28
2	一种MEMS滤波器制作方法	发明专利	CN202110603324.4	CN113321180A	2021-08-31
3	一种MEMS滤波器	发明专利	CN202110603290.9	CN113321178A	2021-08-31
4	一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺和MEMS滤波器	发明专利	CN202110600934.9	CN113314822A	2021-08-27
5	一种MEMS滤波器和制备方法	发明专利	CN202110600933.4	CN113292040A	2021-08-24
6	一种GaNHEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法	发明专利	CN201810260358.6	CN108416167B	2021-08-24
7	一种GaN HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法	发明专利	CN201810260358.6	CN108416167B	2021-08-24
8	一种划片道制作工艺	发明专利	CN201711319902.1	CN108010837B	2021-05-04
9	一种半导体器件介质膜低角度蚀刻方法	发明专利	CN201811043936.7	CN109243971B	2021-04-20
10	一种AlGaN/GaNHEMT微波功率器件小信号本征参数提取方法	发明专利	CN201711321484.X	CN108062442B	2021-04-06

共 33 页

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作品著作权0

暂无信息

暂无作品著作权

网站备案2

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	成都海威华芯科技有限公司	www.hiwafer.com	蜀ICP备16006351号	企业	2021-04-29
2	成都海威华芯科技有限公司	www.hiwafer.com	蜀ICP备16006351号	企业	2019-07-30

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