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    江西兆驰半导体有限公司

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    • 地址:江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
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    • 作品著作权 0
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    专利信息68

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种高可靠性的氮化物发光二极管及其制备方法 发明专利 CN201910055991.6 CN109817771B 2021-10-01
    2 一种高发光效率的氮化物发光二极管 发明专利 CN201910033337.5 CN109755362B 2021-10-01
    3 一种倒装银镜LED芯片及芯片制作方法 发明专利 CN202110567220.2 CN113299810A 2021-08-24
    4 一种紫外发光二极管外延结构层的制备方法 发明专利 CN201810765799.1 CN110718610B 2021-07-30
    5 一种发光二极管晶圆片自动智能存取设备 实用新型 CN201921898253.X CN212197046U 2020-12-22
    6 一种具有DBR分层结构的LED芯片 实用新型 CN202020781423.2 CN211670204U 2020-10-13
    7 一种LED芯片自动化测试系统 实用新型 CN201921898239.X CN211520738U 2020-09-18
    8 一种晶圆切割自动化设备 实用新型 CN201921975016.9 CN211518099U 2020-09-18
    9 一种发光二极管晶粒分选自动化生产自动线设备 实用新型 CN201921627103.5 CN210182346U 2020-03-24
    10 一种增强型GaN基HEMT器件的外延结构、器件及其器件的制备方法 发明专利 CN201811028387.6 CN110875386A 2020-03-10

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