商标信息19
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | 西电 1931 | 41类-教育娱乐 | 39855181 | 商标已注册 | 2019-07-23 | 查看 |
2 | 西电 1931 | 35类-广告销售 | 39852100 | 商标无效 | 2019-07-23 | 查看 |
3 | 西电 1931 | 30类-方便食品 | 39842363 | 商标已注册 | 2019-07-23 | 查看 |
4 | 西电 1931 | 43类-餐饮住宿 | 39838909 | 商标已注册 | 2019-07-23 | 查看 |
5 | 西电印象 | 16类-办公用品 | 33705965 | 商标已注册 | 2018-09-25 | 查看 |
6 | 石头·众创空间 STONE | 42类-网站服务 | 27473580 | 商标无效 | 2017-11-14 | 查看 |
7 | 图形 | 42类-网站服务 | 27461012 | 商标无效 | 2017-11-14 | 查看 |
8 | 图形 | 41类-教育娱乐 | 27447951 | 商标无效 | 2017-11-13 | 查看 |
9 | 石头·众创空间 STONE | 41类-教育娱乐 | 27443760 | 商标已注册 | 2017-11-13 | 查看 |
10 | 图形 | 35类-广告销售 | 27438300 | 商标已注册 | 2017-11-13 | 查看 |
专利信息50
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 基于片上网络的异构多核处理系统 | 发明专利 | CN201510224407.7 | CN104794100B | 2017-06-16 |
2 | 绝缘栅型直角复合源场板功率晶体管 | 发明专利 | CN201410660513.5 | CN104393030B | 2017-04-19 |
3 | 一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法 | 发明专利 | CN201410312711.2 | CN104051521B | 2017-03-22 |
4 | 基于超结槽栅的高压器件及其制作方法 | 发明专利 | CN201410029825.6 | CN103779411B | 2017-01-25 |
5 | 一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法 | 发明专利 | CN201410312757.4 | CN104064595B | 2016-11-09 |
6 | 测试HEMT器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法 | 发明专利 | CN201410317290.2 | CN104062484B | 2016-08-17 |
7 | 加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 | 发明专利 | CN201410025519.5 | CN103779407B | 2016-05-18 |
8 | 多核网络处理器的片上互联结构及其方法 | 发明专利 | CN201310036017.8 | CN103106177B | 2016-01-20 |
9 | 离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法 | 发明专利 | CN201310279945.7 | CN103367416B | 2015-09-30 |
10 | 基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法 | 发明专利 | CN201310039823.0 | CN103151246B | 2015-09-02 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 西电产业网 | www.xd-cy.cn | 陕ICP备11001645号 | 企业 | 2019-03-22 |
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