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  • 艾微普

    浙江艾微普科技有限公司

    存续
    • 地址:浙江省嘉兴市海宁市海昌街道芯中路6号1幢
    • 简介:-
    • 商标信息 4
    • 专利信息 11
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 1

    商标信息4

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 艾微普 半导体设备制造 37类-建筑修理 43823457 商标已注册 2020-01-15 查看
    2 艾·微·普 半导体设备制造 40类-材料加工 43817727 商标已注册 2020-01-15 查看
    3 艾·微·普 半导体设备制造 07类-机械设备 43661989 商标已注册 2020-01-08 查看
    4 艾微普半导体设备制造 42类-网站服务 43657362 商标已注册 2020-01-08 查看

    专利信息11

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种离子辅助的多靶磁控溅射设备 发明专利 CN202111504598.4 CN114015997A 2022-02-08
    2 均匀薄膜沉积的设备 实用新型 CN202120714152.3 CN215517614U 2022-01-14
    3 一种折射率可调的AlN薄膜的制备设备 实用新型 CN202121409192.3 CN215517601U 2022-01-14
    4 离子辅助、倾斜溅射的PVD系统 实用新型 CN202120137380.9 CN215209603U 2021-12-17
    5 磁控溅射设备的可调式挡板 实用新型 CN202022361509.2 CN214168116U 2021-09-10
    6 一种折射率可调的AlN薄膜的制备设备及方法 发明专利 CN202110702031.1 CN113337795A 2021-09-03
    7 一种应力可调控的、反应溅射AlN薄膜的制备方法和设备 发明专利 CN202110465438.7 CN113265613A 2021-08-17
    8 一种离子辅助、倾斜溅射、反应溅射沉积薄膜的方法及设备 发明专利 CN202110268042.3 CN113061857A 2021-07-02
    9 均匀薄膜沉积的方法和设备 发明专利 CN202110378222.7 CN112981350A 2021-06-18
    10 离子源及离子刻蚀设备 实用新型 CN202022399024.2 CN213184195U 2021-05-11

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案1

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 浙江艾微普科技有限公司 www.avptec.com 浙ICP备20004147号 企业 2020-02-13
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