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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底生长氮化镓单晶的方法	发明专利	CN202111128254.8	CN113832546A	2021-12-24
2	一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法	发明专利	CN202110701740.8	CN113430649A	2021-09-24
3	阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法	发明专利	CN202110701742.7	CN113430641A	2021-09-24
4	一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法	发明专利	CN201710601044.3	CN107326444B	2019-10-18
5	一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法	发明专利	CN201810122199.3	CN108315823A	2018-07-24
6	一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法	发明专利	CN201710601044.3	CN107326444A	2017-11-07
7	在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法	发明专利	CN201410113538.3	CN103882526B	2016-06-01
8	一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法	发明专利	CN201410114052.1	CN103866380B	2016-05-11
9	利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法	发明专利	CN201410024671.1	CN103741221B	2016-04-20
10	一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法	发明专利	CN201410000379.6	CN103728469B	2015-09-30

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