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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	半导体器件蒸镀缺陷的检测方法	发明专利	CN202111131340.4	CN113871316A	2021-12-31
2	半导体元件的划片方法及划片装置	发明专利	CN202111117128.2	CN113838750A	2021-12-24
3	低压放电管芯片的制造方法	发明专利	CN202110917051.0	CN113823560A	2021-12-21
4	半导体器件结构	实用新型	CN202120951524.4	CN214588826U	2021-11-02
5	半导体器件封装结构	实用新型	CN202120951448.7	CN214588825U	2021-11-02
6	半导体器件的制造方法	发明专利	CN202110490712.6	CN113299616A	2021-08-24
7	半导体器件结构	实用新型	CN202022561773.0	CN213212147U	2021-05-14
8	半导体结构及器件	实用新型	CN202022573210.3	CN213026135U	2021-04-20
9	可控硅芯片	实用新型	CN202022433222.6	CN212907748U	2021-04-06
10	二极管器件结构	实用新型	CN202022562879.2	CN212907709U	2021-04-06

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1	浙江里阳半导体有限公司	www.liownsemi.com	浙ICP备19019845号	企业	2019-05-17

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