商标信息5
专利信息8
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法 | 发明专利 | CN202110704500.3 | CN113363341A | 2021-09-07 |
2 | 基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法 | 发明专利 | CN202110482973.3 | CN113193089A | 2021-07-30 |
3 | 一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法 | 发明专利 | CN202110463249.6 | CN113178771A | 2021-07-27 |
4 | 一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法 | 发明专利 | CN202110440484.1 | CN112951942A | 2021-06-11 |
5 | 一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法 | 发明专利 | CN202110440480.3 | CN112951940A | 2021-06-11 |
6 | 基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法 | 发明专利 | CN202011286959.8 | CN112397374A | 2021-02-23 |
7 | 一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法 | 发明专利 | CN202010736420.1 | CN111883524A | 2020-11-03 |
8 | 一种基于CMOS技术兼容硅衬底的III-V族化合物材料生长方法 | 发明专利 | CN202010415449.X | CN111540671A | 2020-08-14 |
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