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  • 汇思光电

    湖南汇思光电科技有限公司

    存续
    • 官网:-
    • 地址:湖南省长沙市岳麓山大学科技城岳麓街道科技创意园5栋238房
    • 简介:-
    • 商标信息 5
    • 专利信息 8
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息5

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 HS PHOTONICS 42类-网站服务 50146596 等待实质审查 2020-09-28 查看
    2 汇思光电 42类-网站服务 50146577 等待实质审查 2020-09-28 查看
    3 HS PHOTONICS 09类-科学仪器 50133554 等待实质审查 2020-09-28 查看
    4 图形 09类-科学仪器 46336605 商标已注册 2020-05-15 查看
    5 图形 42类-网站服务 46332188 等待实质审查 2020-05-15 查看

    专利信息8

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法 发明专利 CN202110704500.3 CN113363341A 2021-09-07
    2 基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法 发明专利 CN202110482973.3 CN113193089A 2021-07-30
    3 一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法 发明专利 CN202110463249.6 CN113178771A 2021-07-27
    4 一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法 发明专利 CN202110440484.1 CN112951942A 2021-06-11
    5 一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法 发明专利 CN202110440480.3 CN112951940A 2021-06-11
    6 基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法 发明专利 CN202011286959.8 CN112397374A 2021-02-23
    7 一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法 发明专利 CN202010736420.1 CN111883524A 2020-11-03
    8 一种基于CMOS技术兼容硅衬底的III-V族化合物材料生长方法 发明专利 CN202010415449.X CN111540671A 2020-08-14

    软件著作权0

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    作品著作权0

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    网站备案0

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