商标信息5
专利信息9
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种具有提高接触面积的平面肖特基整流器件及制造方法 | 发明专利 | CN202110625970.0 | CN113314618A | 2021-08-27 |
2 | 一种具有低漏电高稳定性的沟槽型SGT-MOS器件制造方法 | 发明专利 | CN202110475043.5 | CN113224151A | 2021-08-06 |
3 | 具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法 | 发明专利 | CN202110460839.3 | CN113066856A | 2021-07-02 |
4 | 一种具有错位排列的超结P区的高压MOSFET | 实用新型 | CN201621048771.9 | CN206250204U | 2017-06-13 |
5 | 一种N沟埋栅SITH型的ESD保护器件 | 实用新型 | CN201620745547.9 | CN206098396U | 2017-04-12 |
6 | 一种肖特基pn结集成器件 | 实用新型 | CN201620750249.9 | CN205881913U | 2017-01-11 |
7 | 一种具有双门极的双波状基区GCT器件 | 实用新型 | CN201620749835.1 | CN205881908U | 2017-01-11 |
8 | 具有深槽和T‑POLY结构的沟槽型MOS肖特基整流器及制造方法 | 发明专利 | CN201610801864.2 | CN106328690A | 2017-01-11 |
9 | 一种具有错位排列的超结P区的高压MOSFET及其制造方法 | 发明专利 | CN201610816169.3 | CN106206742A | 2016-12-07 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 厦门吉顺芯微电子有限公司 | www.xmjsmc.com | 闽ICP备17034328号 | 企业 | 2020-09-17 |
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