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商标信息 15
专利信息 59
软件著作权 0
作品著作权 1
网站备案 4

商标信息15

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	RFΑSOI	35类-广告销售	23409548	商标已注册	2017-04-05	查看
2	RFASOI	42类-网站服务	23409415	商标已注册	2017-04-05	查看
3	RFASOI	09类-科学仪器	23409156	商标已注册	2017-04-05	查看
4	硅基科技	42类-网站服务	13570663	商标已注册	2013-11-19	查看
5	硅基科技	35类-广告销售	13570550	商标已注册	2013-11-19	查看
6	硅基科技	09类-科学仪器	13570495	商标已注册	2013-11-19	查看
7	SYSILICON	42类-网站服务	13570423	商标已注册	2013-11-19	查看
8	SYSILICON	35类-广告销售	13570317	商标已注册	2013-11-19	查看
9	SYSILICON	09类-科学仪器	13570193	商标无效	2013-11-19	查看
10	SYSILICON	42类-网站服务	13570090	商标已注册	2013-11-19	查看

专利信息59

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种特殊结构的SOI及其制备方法	发明专利	CN202111524906.X	CN114188362A	2022-03-15
2	一种贯穿空腔结构硅片的加工方法	发明专利	CN201810075852.5	CN110078017B	2021-11-05
3	一种双面注入得到SOI的方法	发明专利	CN201810075765.X	CN110085549B	2021-06-04
4	一种双面注入得到SOI的方法	发明专利	CN201810075765.X	CN110085549A	2021-06-04
5	一种多层单晶硅薄膜的制备方法	发明专利	CN201810075920.8	CN110085510B	2021-06-04
6	一种多层单晶硅薄膜的制备方法	发明专利	CN201810075920.8	CN110085510A	2021-06-04
7	一种去除TM-SOI顶层硅缺陷的方法	发明专利	CN201610025528.3	CN106981451B	2021-05-07
8	一种键合片分离设备	实用新型	CN201921815962.7	CN210925951U	2020-07-03
9	以氮化物薄膜为绝缘埋层的SOI材料及其制备方法	发明专利	CN201610792264.4	CN107785304B	2020-03-20
10	一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法	发明专利	CN201610079153.9	CN107026097B	2020-03-20

共 6 页

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作品著作权1

序号	作品名	作品类别	登记号	创作完成日期	首次发表日期	登记批准日期
1	硅基科技图标	-	国作登字-2014-F-00137611	-	2009	2014

网站备案4

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	-	-	辽ICP备2022002451号	企业	2022-03-29
2	-	-	辽ICP备2022002451号	企业	2022-03-25
3	-	-	辽ICP备2022002451号	企业	2022-03-25
4	-	-	辽ICP备2022002451号	企业	2022-03-14

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