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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层GaN耿氏二极管及制作方法	发明专利	CN201410272508.7	CN104009157B	2016-10-12
2	HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法	发明专利	CN201410319025.8	CN104062485B	2016-08-17
3	基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法	发明专利	CN201410033307.1	CN103839996B	2016-08-17
4	加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法	发明专利	CN201410025516.1	CN103779406B	2016-05-04
5	一种基于槽栅高压器件及其制作方法	发明专利	CN201410033269.X	CN103794643B	2016-03-02
6	选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法	发明专利	CN201310280177.7	CN103400856B	2016-03-02
7	横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法	发明专利	CN201310277894.4	CN103383959B	2015-10-28
8	二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法	发明专利	CN201310280220.X	CN103367429B	2015-10-28
9	基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法	发明专利	CN201310280216.3	CN103367428B	2015-10-28
10	基于a面6H-SiC衬底上a面GaN缓冲层上InN半导体器件的制备方法	发明专利	CN201310237610.9	CN103320764B	2015-10-21

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