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商标信息1

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	FINSBD	-	21030807	商标已注册	2016-08-18	查看

专利信息51

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种ONO制程的Splt-GateMOSFET芯片	实用新型	CN202120330680.9	CN214753773U	2021-11-16
2	一种高导电效率的GaN基HEMT芯片	实用新型	CN202121263040.7	CN214753771U	2021-11-16
3	适用于锂电池充放电保护用的新型开关芯片	实用新型	CN202120648953.4	CN214378452U	2021-10-08
4	带有排气槽导线	实用新型	CN202120330691.7	CN214378415U	2021-10-08
5	一种高导电效率的GaN基HEMT芯片及其制备方法	发明专利	CN202110631801.8	CN113257894A	2021-08-13
6	一种新型立体导电的肖特基二极管	实用新型	CN202021494485.1	CN212542447U	2021-02-12
7	一种新型双沟槽的肖特基二极管	实用新型	CN202021477848.0	CN212542446U	2021-02-12
8	精简光刻Split-GateMOSFET芯片	实用新型	CN202021818076.2	CN212542445U	2021-02-12
9	一种高导通低漏电的肖特基芯片	实用新型	CN201921868925.2	CN210516734U	2020-05-12
10	一种任意结构的肖特基芯片及肖特基二极管	实用新型	CN201821246097.4	CN208861996U	2019-05-14

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