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商标信息 5
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商标信息5

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	S SASTC 陕西半导体先导技术中心	42类-网站服务	57408767	等待实质审查	2021-07-02	查看
2	树芯计划 SEMICON PLANT	35类-广告销售	57360452	等待实质审查	2021-07-01	查看
3	图形	-	51230120	等待实质审查	2020-11-12	查看
4	树芯计划;SEMICON PLANT	35类-广告销售	51224825	商标已注册	2020-11-12	查看
5	树芯计划	41类-教育娱乐	51213123	商标已注册	2020-11-12	查看

专利信息82

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种提高半导体器件台面耐压结构	实用新型	CN202023265017.X	CN213692060U	2021-07-13
2	一种降低导通电阻的功率半导体器件结构及其制备方法	发明专利	CN202110105602.3	CN112951907A	2021-06-11
3	便于结温检测的功率半导体器件及其结温测量方法	发明专利	CN202110126966.X	CN112946450A	2021-06-11
4	一种提高半导体器件台面耐压结构及制备方法	发明专利	CN202011603186.1	CN112635550A	2021-04-09
5	一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构	实用新型	CN202020505108.7	CN211629116U	2020-10-02
6	一种具有低相对介电常数埋层的纵向高压功率半导体器件结构	发明专利	CN202010398404.6	CN111554748A	2020-08-18
7	一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构	发明专利	CN202010271966.4	CN111463271A	2020-07-28
8	一种可降低导通电阻并增加安全工作区的功率半导体器件制备方法	发明专利	CN202010271995.0	CN111463132A	2020-07-28
9	一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件	实用新型	CN201920793260.7	CN210379054U	2020-04-21
10	一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件	实用新型	CN201920793325.8	CN209981224U	2020-01-21

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序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	陕西半导体先导技术中心有限公司	www.sastc.com.cn	陕ICP备19002479号	企业	2019-01-31

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