商标信息14
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | IOTFET OR A | - | 61024972 | 初审公告 | 2021-11-30 | 查看 |
2 | IOTFET | - | 61022957 | 初审公告 | 2021-11-30 | 查看 |
3 | ULTRACSP | 09类-科学仪器 | 54448295 | 商标已注册 | 2021-03-18 | 查看 |
4 | JCSP | 09类-科学仪器 | 54430696 | 商标已注册 | 2021-03-18 | 查看 |
5 | JHFET | 09类-科学仪器 | 44196717 | 商标已注册 | 2020-02-24 | 查看 |
6 | JSFET | 09类-科学仪器 | 44196708 | 商标已注册 | 2020-02-24 | 查看 |
7 | JTFET | 09类-科学仪器 | 44185668 | 商标已注册 | 2020-02-24 | 查看 |
8 | JPFET | 09类-科学仪器 | 44183613 | 商标已注册 | 2020-02-24 | 查看 |
9 | JMP OWER | 09类-科学仪器 | 44100981 | 商标无效 | 2020-02-17 | 查看 |
10 | JJM(SH) | 09类-科学仪器 | 44097252 | 商标无效 | 2020-02-17 | 查看 |
专利信息39
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种分离栅MOSFET的制作方法 | 发明专利 | CN202210343805.0 | CN114743879A | 2022-07-12 |
2 | 一种半导体功率器件结构 | 实用新型 | CN202220118621.X | CN216563140U | 2022-05-17 |
3 | 一种集成SBR的SGTMOSFET的制作方法 | 发明专利 | CN202210063171.3 | CN114400206A | 2022-04-26 |
4 | 一种集成SBR的SGTMOSFET的器件结构及其制作方法 | 发明专利 | CN202210063150.1 | CN114093931B | 2022-04-26 |
5 | 一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法 | 发明专利 | CN202210051895.6 | CN114373676A | 2022-04-19 |
6 | 一种集成SBR的SGTMOSFET的器件结构及其制作方法 | 发明专利 | CN202210063150.1 | CN114093931A | 2022-02-25 |
7 | 一种源栅间接电连接的先进二极管封装结构 | 发明专利 | CN202110177369.X | CN112992834B | 2022-02-18 |
8 | 一种分离栅MOSFET的制作方法 | 发明专利 | CN202111304887.X | CN114038747A | 2022-02-11 |
9 | 一种高功率CSP封装结构 | 实用新型 | CN202122050112.6 | CN215680678U | 2022-01-28 |
10 | 一种半导体功率器件结构及其制造方法 | 发明专利 | CN202111513373.5 | CN113921614A | 2022-01-11 |
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