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官网： www.alkaidsemi.com

地址：中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室

商标信息 24
专利信息 61
软件著作权 0
作品著作权 0
网站备案 3

商标信息24

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	EXCELSIORMEMS	-	62268286	等待实质审查	2022-01-19	查看
2	EXCELSIORMEMS	-	62265959	等待实质审查	2022-01-19	查看
3	ATALLA	-	62263542	等待实质审查	2022-01-19	查看
4	EXCELSIORGAN	-	62260298	等待实质审查	2022-01-19	查看
5	JOULES	-	62258867	等待实质审查	2022-01-19	查看
6	EXCELSIOR JUNCTION MOS	-	62256616	等待实质审查	2022-01-19	查看
7	EXCELSIORGAN	-	62252507	等待实质审查	2022-01-19	查看
8	EXCELSIORMOS	-	62247214	等待实质审查	2022-01-19	查看
9	EXCELSIORSIC	-	62246110	等待实质审查	2022-01-19	查看
10	EXCELSIOR JUNCTION MOS	-	62244216	等待实质审查	2022-01-19	查看

专利信息61

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	双脉冲测试电路及双脉冲测试方法	发明专利	CN202210426667.2	CN114755551A	2022-07-15
2	一种MEMS麦克风结构	发明专利	CN202011642749.8	CN114697840A	2022-07-01
3	MEMS麦克风及其制备方法	发明专利	CN202210418883.2	CN114640934A	2022-06-17
4	MEMS麦克风及其制备方法	发明专利	CN202210418882.8	CN114640933A	2022-06-17
5	脉冲密度调制接口实现方法及装置、电子设备及存储介质	发明专利	CN202210114254.0	CN114531160A	2022-05-24
6	一种降低氧化层电场强度的MOSFET器件及其制备方法	发明专利	CN202011324384.4	CN114530380A	2022-05-24
7	一种集成PiN结构温度传感器的MOSFET器件及其制备方法	发明专利	CN202011322785.6	CN114530377A	2022-05-24
8	一种集成肖特基结构温度传感器的MOSFET器件及其制备方法	发明专利	CN202011322781.8	CN114530376A	2022-05-24
9	一种基于外延沟道的MOSFET器件及其制备方法	发明专利	CN202011322803.0	CN114530370A	2022-05-24
10	一种MEMS麦克风结构及其制作方法	发明专利	CN202011117387.0	CN114390415A	2022-04-22

共 7 页

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暂无软件著作权

作品著作权0

暂无信息

暂无作品著作权

网站备案3

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	-	www.alkaidsemi.com	沪ICP备2020036924号	企业	2022-01-10
2	瑶芯微	www.alkaidsemi.com	沪ICP备2020036924号	企业	2020-12-11
3	瑶芯微	www.alkaidsemi.com	沪ICP备2020036924号	企业	2020-12-11

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