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商标信息4

序号	商标	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	鼎	鼎泰芯源	-	26876894	商标已注册	2017-10-13	查看
2	D	DT-CRYSTAL	-	26872405	商标已注册	2017-10-13	查看
3	图	图形	-	26871639	商标已注册	2017-10-13	查看
4	鼎	鼎泰芯源	-	26859404	商标已注册	2017-10-13	查看

专利信息66

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种磷化铟晶片的清洗方法	发明专利	CN202110994873.9	CN113690128A	2021-11-23
2	一种基于VGF法的气相掺杂的晶体生长方法	发明专利	CN201911405446.1	CN111041550B	2021-10-12
3	一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法	发明专利	CN201811652934.8	CN109629003B	2021-05-28
4	对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法	发明专利	CN201811640598.5	CN109629002B	2021-03-16
5	基于VGF法晶体生长用石英封帽以及晶体生长装置	实用新型	CN201922459336.5	CN211620660U	2020-10-02
6	一种晶体生长装置	实用新型	CN201922114666.0	CN211005717U	2020-07-14
7	一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚	实用新型	CN201922095129.6	CN211005709U	2020-07-14
8	一种基于VGF法的气相掺杂的晶体生长方法	发明专利	CN201911405446.1	CN111041550A	2020-04-21
9	基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置及晶体生长工艺	发明专利	CN201911411298.4	CN110952133A	2020-04-03
10	一种晶体生长后的退火及脱锅方法以及晶体制备方法	发明专利	CN201911189275.3	CN110725008A	2020-01-24

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