商标信息4
专利信息18
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种沟槽MOSFET结构 | 实用新型 | CN202022178434.4 | CN213366603U | 2021-06-04 |
2 | 一种沟槽MOSFET结构 | 实用新型 | CN202022101136.5 | CN213026140U | 2021-04-20 |
3 | 一种沟槽MOSFET的制造方法 | 发明专利 | CN202011046235.6 | CN112185893A | 2021-01-05 |
4 | 一种提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺方法及沟槽MOSFET结构 | 发明专利 | CN202011005217.3 | CN112103187A | 2020-12-18 |
5 | 一种提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺方法及沟槽MOSFET结构 | 发明专利 | CN202011005205.0 | CN112103186A | 2020-12-18 |
6 | 一种沟槽MOSFET的制造方法及结构 | 发明专利 | CN202011003657.5 | CN112103185A | 2020-12-18 |
7 | 一种沟槽MOSFET的制作方法 | 发明专利 | CN202010948833.6 | CN112053957A | 2020-12-08 |
8 | 一种沟槽MOSFET的制造方法 | 发明专利 | CN202010947607.6 | CN112038237A | 2020-12-04 |
9 | 一种沟槽MOSFET的制造方法 | 发明专利 | CN202010946784.2 | CN112038236A | 2020-12-04 |
10 | 集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET | 实用新型 | CN201921264319.X | CN210443554U | 2020-05-01 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 芯电元官网 | www.semi-one.com | 粤ICP备16116621号 | 企业 | 2016-12-07 |
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