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    华羿微电子股份有限公司

    在业
    • 地址:西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
    • 简介:-
    • 商标信息 10
    • 专利信息 106
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息10

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 DYNAMOS 09类-科学仪器 57561545 商标申请中 2021-07-08 查看
    2 HY TRENCH MOS 09类-科学仪器 57560086 商标申请中 2021-07-08 查看
    3 ROBUSTFET 09类-科学仪器 57557527 商标申请中 2021-07-08 查看
    4 图形 42类-网站服务 57556479 商标申请中 2021-07-08 查看
    5 COMMON DRAIN MOS 09类-科学仪器 57549310 商标申请中 2021-07-08 查看
    6 华羿微电 42类-网站服务 57538191 等待实质审查 2021-07-08 查看
    7 COMBINE NPMOS 09类-科学仪器 57533475 等待实质审查 2021-07-08 查看
    8 HYME 09类-科学仪器 40261724 商标已注册 2019-08-09 查看
    9 华羿微电 09类-科学仪器 40247147 商标已注册 2019-08-09 查看
    10 图形 09类-科学仪器 6898740 商标已注册 2008-08-14 查看

    专利信息106

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种MOSFET器件 实用新型 CN202022524966.9 CN213601874U 2021-07-02
    2 一种MOSFET器件终端 实用新型 CN202022413901.7 CN213601873U 2021-07-02
    3 一种自带短路保护的功率MOSFET 发明专利 CN202011419731.1 CN112531650A 2021-03-19
    4 一种TrenchVDMOS器件 实用新型 CN202022317533.6 CN212587515U 2021-02-23
    5 一种TrenchMOS功率器件 实用新型 CN202021493617.9 CN212587514U 2021-02-23
    6 一种TrenchMOS器件 实用新型 CN202021493210.6 CN212587513U 2021-02-23
    7 一种沟槽MOSFET器件 实用新型 CN202021384299.2 CN212587512U 2021-02-23
    8 采用多芯片堆叠结构的功率分立器件 实用新型 CN202021335170.2 CN212587507U 2021-02-23
    9 一种MOSFET器件及制备方法 发明专利 CN202011220096.4 CN112234103A 2021-01-15
    10 一种MOSFET器件终端及制备方法 发明专利 CN202011167534.5 CN112201695A 2021-01-08

    软件著作权0

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    网站备案0

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