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  • 纳维科技

    苏州纳维科技有限公司

    存续
    • 地址:中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室(该地址不得从事零售)
    • 简介:-
    • 商标信息 8
    • 专利信息 86
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 3

    商标信息8

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 苏州纳维 NANOWIN 11类-灯具空调 13023959 商标无效 2013-08-02 查看
    2 苏州纳维 NANOWIN 09类-科学仪器 13023852 商标无效 2013-08-02 查看
    3 SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY CO.,LTD. 11类-灯具空调 13023773 商标已注册 2013-08-02 查看
    4 SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY CO.,LTD. 09类-科学仪器 13023725 商标已注册 2013-08-02 查看
    5 苏州纳维科技有限公司 11类-灯具空调 13023656 商标已注册 2013-08-02 查看
    6 苏州纳维科技有限公司 09类-科学仪器 13023620 商标已注册 2013-08-02 查看
    7 NANOWIN 09类-科学仪器 8587371 商标已注册 2010-08-18 查看
    8 苏州纳维科技有限公司;SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY CO.,LTD. 09类-科学仪器 8587346 商标已注册 2010-08-18 查看

    专利信息86

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法及生长结构 发明专利 CN201910951222.4 CN110707002B 2022-07-05
    2 一种共用金属源的HVPE装置 实用新型 CN202122845238.2 CN216639708U 2022-05-31
    3 氮化镓外延结构 实用新型 CN202122942896.3 CN216624314U 2022-05-27
    4 一种用于晶片粘接的治具 实用新型 CN202122845290.8 CN216389306U 2022-04-26
    5 可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法 发明专利 CN202111482182.7 CN114334607A 2022-04-12
    6 一种用于深紫外激光的图形化蓝宝石能量衰减片 实用新型 CN202121689855.1 CN215986752U 2022-03-08
    7 氮化镓外延层及其形成方法 发明专利 CN202111427485.9 CN114121611A 2022-03-01
    8 氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的设备 实用新型 CN202121751342.9 CN215481424U 2022-01-11
    9 一种晶片翘曲测试装置 实用新型 CN202121857867.0 CN215418104U 2022-01-04
    10 可分离多层GaN衬底及其制作方法、半导体芯片制作方法 发明专利 CN202111479532.4 CN113889528A 2022-01-04

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案3

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 苏州纳维科技有限公司 www.nanowin.com.cn 苏ICP备11034975号 企业 2020-01-13
    2 苏州纳维科技有限公司 www.nanowin.com.cn 苏ICP备11034975号 企业 2020-01-13
    3 - www.nanowin.com.cn 苏ICP备11034975号 企业 2020-01-13
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