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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法	发明专利	CN202111206527.6	CN113809161B	2022-06-24
2	一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法	发明专利	CN202111206527.6	CN113809161A	2022-06-24
3	一种高性能SGTMOSFET器件	实用新型	CN202122384160.9	CN216597598U	2022-05-24
4	一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构	实用新型	CN202122114420.0	CN216597597U	2022-05-24
5	一种低内阻超薄型功率器件的封装结构	实用新型	CN202122373409.6	CN216015357U	2022-03-11
6	一种沟槽MOSFET的新型结构	实用新型	CN202122407728.4	CN215988774U	2022-03-08
7	一种高可靠性MOSFET集成电路芯片及其制备方法	发明专利	CN202111206703.6	CN113948577A	2022-01-18
8	一种新型分离栅MOSFET器件	发明专利	CN202111148366.X	CN113782613A	2021-12-10
9	一种集成RC吸收结构的MOSFET器件及制作方法	发明专利	CN202111054711.3	CN113659010A	2021-11-16
10	一种提高防静电能力的MOSFET器件	实用新型	CN202120318432.2	CN214279985U	2021-09-24

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