商标信息0
专利信息17
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法 | 发明专利 | CN202111206527.6 | CN113809161B | 2022-06-24 |
2 | 一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法 | 发明专利 | CN202111206527.6 | CN113809161A | 2022-06-24 |
3 | 一种高性能SGTMOSFET器件 | 实用新型 | CN202122384160.9 | CN216597598U | 2022-05-24 |
4 | 一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构 | 实用新型 | CN202122114420.0 | CN216597597U | 2022-05-24 |
5 | 一种低内阻超薄型功率器件的封装结构 | 实用新型 | CN202122373409.6 | CN216015357U | 2022-03-11 |
6 | 一种沟槽MOSFET的新型结构 | 实用新型 | CN202122407728.4 | CN215988774U | 2022-03-08 |
7 | 一种高可靠性MOSFET集成电路芯片及其制备方法 | 发明专利 | CN202111206703.6 | CN113948577A | 2022-01-18 |
8 | 一种新型分离栅MOSFET器件 | 发明专利 | CN202111148366.X | CN113782613A | 2021-12-10 |
9 | 一种集成RC吸收结构的MOSFET器件及制作方法 | 发明专利 | CN202111054711.3 | CN113659010A | 2021-11-16 |
10 | 一种提高防静电能力的MOSFET器件 | 实用新型 | CN202120318432.2 | CN214279985U | 2021-09-24 |
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